Zastosowanie InGaAsN w konstrukcji ogniwa słonecznego p-i-n

• Autorzy: Dawidowski W. , Ściana B. , Zborowska-Lindert I. , Pucicki D. , Radziewicz D. , Bielak K. , Latkowska M. , Kovac J. , Tłaczała M.

Warianty tytułu

EN

Application of InGaAsN in construction of p-i-n solar cell

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Wzrost światowego zapotrzebowania na energię elektryczną wymusza rozwój badań w zakresie alternatywnych źródeł energii. Fotowoltaika wydaje się być perspektywicznym i nieszkodliwym dla środowiska sposobem konwersji promieniowania słonecznego na sygnał elektryczny. Obok powszechnych już ogniw i modułów krzemowych aktualnie badane są wysokosprawne, wielozłączowe ogniwa bazujące ma materiałach AIIIBV. W niniejszej pracy przedstawiono wyniki dotyczące zastosowania poczwórnych związków półprzewodnikowych InGaAsN w konstrukcji ogniwa słonecznego p-i-n.

EN

The worldwide increase of electric power consumption forces the development of alternative sources of energy. Photovoltaics seems to be a promising and harmless to the natural environment method of producing electrical power. Besides silicon cells and panels, present researches are focused on high efficiency and multijunction solar cells based on AIIIBV semiconductors. This paper presents the results of application of the new InGaAsN semiconductor compounds in the p-i-n solar cell construction.

Słowa kluczowe

PL

rozcieńczone azotki; technologia AP-MOVPE; struktury MQW; ogniwo słoneczne p-i-n

EN

dilute nitrides; AP-MOVPE technology; MQW structures; p-i-n solar cell

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2012
• Tom: Vol. 53, nr 7
• Strony: 90--92
• Opis fizyczny: Bibliogr. 3 poz., il., wykr.

Twórcy

autor

Dawidowski W.

autor

Ściana B.

autor

Zborowska-Lindert I.

autor

Pucicki D.

autor

Radziewicz D.

autor

Bielak K.

autor

Latkowska M.

autor

Kovac J.

autor

Tłaczała M.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

Bibliografia

• [1] Green M. i in.: Solar cell efficiency tables (version 39), Progress in Photovoltaics: Research and Applications, tom 20, numer 1, 2012, s. 12-20.
• [2] Luque A. i Hegedus S. [ed]: Handbook of Photovoltaic Science and Engineering, Willey 2003.
• [3] Liu W. i in.: Interdiffusion in narrow InGaAsN/GaAs quantum wells J. Appl. Phys. 101, 103111 (2007).