PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!
  • Sesja wygasła!
Tytuł artykułu

Method of temperature fluctuations compensation in the silicon photomultiplier measurement system

Identyfikatory
Warianty tytułu
PL
Metoda kompensacji zmian temperatury w systemach pomiarowych zawierających krzemowe fotopowielacze
Konferencja
Microwave and Radar Week (5 ; 21-26.05.2012 ; Warsaw, Poland)
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
This paper presents the method for the compensation of the temperature fluctuations in the measurement system based on the Silicon Photomultipliers (SiPM). Temperature has very strong influence on the gain of the detectors. Because single photons are detected and the system is very sensitive, its parameters have to be steady during the measurements. Temperature is being stabilized by changeable bias voltage of the detector. This paper describes how the algorithm of compensation has been determined during series of measurements and presents first results of temperature compensation.
PL
Artykuł opisuje metodę kompensacji zmian temperatury w systemach pomiarowych zawierających krzemowe fotopowielacze. Temperatura ma duży wpływ na wzmocnienie krzemowego fotopowielacza. Ponieważ urządzenie to jest bardzo czułe i potrafi mierzyć pojedyncze fotony, jego parametry muszą być kontrolowane podczas pomiaru. Temperatura jest stabilizowana przez zmiany napięcia polaryzacji. Artykuł prezentuje opis opracowania metody kompensacji na podstawie pomiarów oraz pierwsze wyniki kompensacji temperatury.
Rocznik
Strony
64--67
Opis fizyczny
Bibliogr. 4 poz., il., wykr.
Twórcy
autor
autor
autor
autor
autor
autor
  • AGH University of Science and Technology, Faculty of Electrical Engineering, Automatics, Computer Science and Electronics, Department of Electronics, Kraków, Poland
Bibliografia
  • [1] Golovin V., V. Saveliev: Novel type of avalanche photodetector with Geiger mode operation. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 518 (2004) 560-564.
  • [2] Ramilli M.: Characterization of SiPM: Temperature dependencies. Nuclear Science Symposium Conference Record, 2008. NSS ,08. IEEE (2008) 2467-2470.
  • [3] Neamen D. A.: Semiconductor Physics and Devices. Basic Principles. McGraw-Hill Higher Education, 3rd Edition, New York, 2003.
  • [4] Baszczyk M., P. Dorosz, S. Głąb, W. Kucewicz, M. Sapor: Four channels data acquisition system for silicon photomultipliers. “Czterokanałowy system akwizycji danych dla krzemowych fotopowielaczy”, Elektronika: konstrukcje, technologie, zastosowania R. 52 nr 12 (2011), Warszawa, ss. 28-31.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWAK-0031-0018
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.