AMMONO-GaN substrates for microwave and RF electronics applications

• Autorzy: Dwiliński R. , Doradziński R. , Sierzputowski L. , Kucharski R. , Zając M.

Warianty tytułu

PL

Podłoża AMMONO-GaN jako materiał do zastosowań w elektronice mikrofalowej i wysokiej częstotliwości

• Konferencja: Microwave and Radar Week (5 ; 21-26.05.2012 ; Warsaw, Poland)
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

Bulk GaN crystals are regarded as the most promising candidates for substrates for optoelectronic, high power and high frequency electronic devices. In this paper some principles of ammonothermal method of bulk gallium nitride growth are presented. Excellent structural properties and wide spectrum of electrical parameters of obtained this way truły bulk GaN crystals are shown. In considered crystals a Iow dislocation dens ity (5x10³ cm²) is attainable. High crystallinity is manifested by extremely fiat crystal lattice and very narrow (FWHM=16 arcsec) X-ray rocking. Both polar and nonpolar ammonothermal GaN substrates enabled to grow high quality, strain-free homoepitaxial layers and AlGaN/GaN heterostructures. This may enable a breakthrough in manufacturing of aforementioned high power electronic devices.

PL

Objętościowe kryształy GaN uważane są za najbardziej obiecujące materiały do zastosowań w produkcji przyrządów optoelektronicznych i elektronicznych wysokiej mocy i wysokiej częstości. W tym artykule przedstawiony zostanie ogólny zarys metody amonotermalnej wzrostu objętościowego GaN. Doskonałe własności strukturalne i szerokie spektrum własności elektrycznych otrzymywanych tą metodą kryształów zostaną zaprezentowane. W rozważanych kryształach bardzo niska gęstość dyslokacji (5x10³ cm²) jest osiągana. Wysoka jakość strukturalna objawia się bardzo płaską siecią krystaliczną, jak również niską szerokością krzywej odbić promieniowania X (FWHM=16 arcsec). Zarówno polarne, jak i niepolarne podłoża AMMONO-GaN umożliwiają wzrost wysokiej jakości, nienaprężo nych warstw homoepitaksjalnych i heterostruktur AlGaN/GaN, co może spowodować przełom w produkcji wspomnianych wyżej przyrządów elektronicznych wysokiej mocy.

Słowa kluczowe

EN

gallium nitride; ammonothermal; III-V semiconductors

PL

azotek galu; metoda amonotermalna; półprzewodniki III-V

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2012
• Tom: Vol. 53, nr 7
• Strony: 11--13
• Opis fizyczny: Bibliogr. 15 poz., il.

Twórcy

autor

Dwiliński R.

autor

Doradziński R.

autor

Sierzputowski L.

autor

Kucharski R.

autor

Zając M.

• AMMONO SA, Warszawa

Bibliografia

• [1] Jain S. C., M. Willander, J. Narayan, R. van Overstraeten: J. Appl. Phys. 97, 965 (2000).
• [2] Mishra U. et al.: Proceedings of IEEE, 90, 1022 (2002).
• [3] Richter E., M. Grunder, B. Schineller, F. Brunner, U. Zeimer, C. Netzel, M. Weyers, and G. Trankle: phys. stat. sol. (c) 8, 1450 (2011).
• [4] Dwilinski R., R. Doradzinski, J. Garczynski, L.P. Sierzputowski, A. Puchalski, Y. Kanbara, K. Yagi, H. Minakuchi, H. Hayashi: J. Crystal Growth 310, 3911 (2008).
• [5] Dwiliński R., R. Doradzinski, J. Garczyński, L.P. Sierzputowski, A. Puchalski, Y. Kanbara, K. Yagi, H. Minakuchi, H. Hayashi: Journal of Crystal Growth 311, p. 3015 (2009).
• [6] Dwiliński R., R. Doradzinski, J. Garczyński, L.P. Sierzputowski, Y. Kanbara: in Technology of Gallium Nitride Crystal Growth, Chapter 7, p. 137, edited by Springer (2010).
• [7] Byrappa K. and M. Yoshimura: Handbook of Hydrothermal Technology, Noyes Publications (2001).
• [8] Dwilinski R.T., R.M. Doradzinski, J.S. Garczynski, L.P. Sierzputowski, Y. Kanbara: United States Patent no. 6,656,615 B2 (02.12.2003).
• [9] Kucharski R., M. Zając, R. Doradzinski, M. Rudziński, R. Kudrawiec, R. Dwiliński: Semicond. Sci. Technology 27, 024007 (2012).
• [10] Kucharski R., M. Rudziński, M. Zając, R. Doradziński, J. Garczyński, L. Sierzputowski, R. Kudrawiec, J. Serafińczuk, W. Strupiński, R. Dwiliński: Appl. Phys. Lett. 95, 131119 (2009).
• [11] Kudrawiec R., M. Rudziński, J. Serafińczuk, M. Zając, J. Misiewicz: J. Appl. Phys. 105, 093541 (2009).
• [12] Dwiliński R., R. Doradziński, J. Garczyński, L.P. Sierzputowski, M. Rudziński, M. Zając: J. Crystal Growth 311, 3015 (2009).
• [13] Rudziński M., R. Kudrawiec, L. Janicki, J. Serafińczuk, R. Kucharski, M. Zając, J. Misiewicz, R. Doradziński, R. Dwiliński, W. Strupiński: J. Crystal Growth 328, 5 (2011).
• [14] Korona K. P, A. Wysmotek, K. Pakuła, R. Stępniewski, J. M. Baranowski, I. Grzegory, B. Łucznik, M. Wróblewski, S. Porowski: Appl. Phys. Lett. 69, 788(1996).
• [15] Kudrawiec R., M. Rudziński, M. Gtadysiewicz, L. Janicki, P. R. Hageman, W. Strupiński, J. Misiewicz, R. Kucharski, M. Zając, R. Doradziński, R. Dwiliński: J. Appl. Phys. 109, 063528 (2011).