Wielowarstwowe kondensatory z dielektrykiem Bi1/2Cu1/2(Fe1/2Ta1/2)O3 wytwarzane technologią LTCC

• Autorzy: Kulawik J. , Szwagierczak D. , Gröger B.

Warianty tytułu

EN

Multilayer capacitors with Bi1/2Cu1/2(Fe1/2Ta1/2)O3 dielectric fabricated using LTCC technology

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki (10 ; 05-09.06.2011 ; Darłówek Wschodni, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono sposób przygotowania gęstw i wytwarzania metodą odlewania folii na dielektryk kondensatorów opartych na nowym bezołowiowym nieferroelektrycznym materiale o składzie Bi1/2Cu1/2 (Fe1/2Ta1/2)O3. Otrzymane surowe folie charakteryzują się dużą gładkością, elastycznością i jednolitą grubością około 60 µm. Stosując technologię LTCC wykonano wielowarstwowe kondensatory złożone z 16 warstw dielektryka. Obserwacje w mikroskopie skaningowym wskazują na dobrą współpracę opracowanego materiału dielektrycznego z komercyjną pastą Du Pont Ag 6142D. z której wykonano sitodrukiem elektrody wewnętrzne. Wyznaczono pojemność i współczynnik strat kondensatorów w zakresie temperatur od -55 do 300°C i w zakresie częstotliwości 10 Hz - 2 MHz. Wytworzone wielowarstwowe kondensatory odznaczają się wysoką pojemnością i niską temperaturową zmianą pojemności nieprzekraczającą ±5% w zakresie temperatur od -55 do 80°C.

EN

The paper reports on slurry preparation and tape casting procedure of capacitor dielectric based on new lead-free nonferroelectric material with the composilion Bi1/2Cu1/2 (Fe1/2Ta1/2)O3. The obtained green tapes are characterized by high smoothness, flexibility and uniform thickness of about 60 µm. Multilayer capacitors containing 16 dielectric layers were fabricated using LTCC technology SEM observations reveal good cooperation of the developed dielectric material with commercial Du Pont Ag 6142D paste, applied for screen printing of internal electrodes. Capacitance and dissipation factor of the capacitors were measured in the temperature range from -55 to 300°C at frequencies 10 Hz - 2 MHz. The obtained multilayer capacitors exhibit high capacitance and low temperature change of capacitance which does not exceed ±5% in the temperature range from -5E to 80°C.

Słowa kluczowe

PL

bezołowiowy dielektryk; wielowarstwowy kondensator; technologia LTCC

EN

lead-free dielectric; multilayer capacitor; LTCC technology

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 9
• Strony: 164--167
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz., il., wykr.

Twórcy

autor

Kulawik J.

autor

Szwagierczak D.

autor

Gröger B.

• Instytut Technologii Elektronowej, Oddział w Krakowie

Bibliografia

• [1] Kishi H., Y. Mizuno, H. Chazono: Base-metal electrode-multilayer ceramic capacitors Past, present and future perspectives. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 42, pp. 1-15, 2003.
• [2] Tavernor A. W., H. P. S. Li, R. Stevens: Production and characterization of composite relaxor ferroelectric multilayer structures. J. Eur. Ceram. Soc., vol. 19, pp. 1359-1863, 1999.
• [3] Yoon D. H., B. I. Lee: Processing of barium titanate tapes with different binders for MLCC applications-Part l: Part 1: Optimization using design of experiments. J. Eur. Ceram. Soc., vol. 24, pp. 739-752, 2004.
• [4] Yoon D. H., B. I. Lee: Processing of barium titanate tapes with different binders for MLCC applications-Part II: Companson of the properties. J. Eur. Ceram. Soc., vol. 24, pp. 753-761, 2004.
• [5] Hyun K. H., S. Lee, C. W. Cho, U. Paik, D. H. Kim, E. S. Na, J, G. Park: Improvement in the volume efficiency of multilayered ceramic capacitors (MLCCs). J. Electroceram., vol. 17, pp. 351-354, 2006.
• [6] Sinclair D. C., T. B. Adams, F. D. Mornson, A. R. West: CaCu3Ti4O12: One-step internal barrier layer capacitor. App. Phys. Lett., vol. 80, pp. 2153-2155, 2002.
• [7] Raevski I. R., S. A. Prosandeev, A. S. Bogalin, M. A. Malitskaya, L. Jastrabik: High dieleclric permittivity in AFe1/2B1/2O3 nonferroelectric perovskite ceramics (A=Ba, Sr, Ca; B=Nb, Ta, Sb). J. Appl. Phys., vol. 93, pp. 4130-1136, 2003.
• [8] Choudhary R. N. P., D. K. Pradhan, C. M. Tirado, G. E. Bonilia, R. S. Katiyar: Structural, dielectric and impedance properties of Ca(Fe2/3W1/3)O3 nanoceramics. Physica B, vol. 393, pp. 24-31, 2007.
• [9] Szwagierczak D.: Application of lead-free Bi1/2Cu1/2(Fe2/3Wl/3)O3 and Bi1/2Cu1/2(Fe1/2Ta1/2)O3 ceramics in Thick film capacitors. Proc. XXX IMAPS Poland Conf., pp. 243-246, Kraków, 2006.