Wyznaczanie profilu koncentracji nośników i domieszek w strukturach 2DEG na bazie GaN

• Autorzy: Jung W. , Gołaszewska K. , Żytkiewicz Z. R. , Sobańska M. , Kłosek K.

Warianty tytułu

EN

Determination of carrier and dopant concentration profiles in 2DEG GaN structures

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki. 10 ; 05-09.06.2011 ; Darłówko Wschodnie, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono wyniki badań profilu koncentracji nośników i domieszek w wielowarstwowych strukturach na bazie azotku galu. Pokazano, że pomiary charakterystyk pojemnościowo-napięciowych za pomocą sondy rtęciowej dają istotne informacje o upływnosci, grubości warstw i koncentracji nośników i mogą być z powodzeniem stosowane do testowania struktur z gazem dwuwymiarowym umożliwiając wyznaczenie koncentracji nośników i domieszek.

EN

Non-destructive method for rapid determination of carrier and dopant concentration profiles in multilayer 2DEG GaN structures is presented. Mercury probe capacitance - voltage measurements give valuable. Information on layers leakage. thickness and carrier concentration.

Słowa kluczowe

PL

GaN; struktury 2DEG; koncentracja nośników; koncentracja domieszek; sonda rtęciowa

EN

GaN; 2DEG structures; carrier concentration; dopant concentration; mercury probe

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 9
• Strony: 124--126
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., wykr.

Twórcy

autor

Jung W.

autor

Gołaszewska K.

autor

Żytkiewicz Z. R.

autor

Sobańska M.

autor

Kłosek K.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

• [1] Huang Y., X. D. Chen, S. Fung, C. D. Beling, C. C. Ling, Z. F. Wei, S. J. Xu: The depth profiled carrier concentration and scattering mechanism in undoped GaN film grown on sapphire. J. Appl. Phys. Vol. 96, pp. 1120-1126, 2004.
• [2] Nie-Chuan Chen, Chien-Yuan Tseng, Hsin-Tung Lin: Effect of annealing on sheet carrier density of AlGaN/GaN HEMT structure. J. Crystal Growth, Vol. 311, pp. 859-862, 2009.
• [3] Cordier Y., M. Azize, N. Baron, Z. Bougrtoua, S. Chenot, O. Tottereau, J. Massies, P. Gibart: Subsurface Fe-doped semi-insulating GaN templates for inhibition of regrowth interface pollution in AlGaN/GaN HEMT structures. J. Crystal Growth, vol. 310, pp. 948-954. 2008.
• [4] Sikorski S., W. Jung: Non-ideal, Schottky barrier model for impedance measurements of material properties. Mat. Sci. Semicon. Proc., vol. 4, pp. 171-175, 2001.
• [5] Sikorski S., W. Jung: Modelling of Schottky contacts for admittance and ompurity profiling measurements Electr. Tech. Int. J., vol. 39, pp. 5(1-5), 2007.
• [6] http://www.pdsolutions.com
• [7] http://www.wolfram.com
• [8] Aggerstam T., S. Lourdudoss, H. H. Radamson, M. Sjodin, P. Lorenzini, D. C. Look: Investigation of the interface properties of MOVPE grown AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) structures on sapphire. Thin Solid Films, vol. 515, pp. 705-707, 2006.
• [9] Radhakrishnan K., N. Dharmarasu, Z. Sun, S. Arulkumaran, G. I. Ng: Demonstration of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on 100 mm diameter Si(111) by plasma-assisted molecular beam epitaxy. Appl. Phys. Lett. vol. 97, pp. 232107-1-3, 2010.
• [10] Kolkovski V.: Informacja prywatna.