Określanie schematów pasmowych struktur MOS o różnej metalizacji bramki na podłożu 3C-SiC

• Autorzy: Piskorski K. , Przewłocki H. M. , Esteve R. , Bakowski M.

Warianty tytułu

EN

Band diagram determination of MOS structures with different gate materials on 3C-SiC substrate

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki. 10 ; 05-09.06.2011 ; Darłówko Wschodnie, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Wykorzystanie różnych elektrycznych i fotoelektrycznych technik pomiarowych oraz użycie odpowiednich metod obliczeniowych pozwala na uzyskanie informacji na temat wielu parametrów schematu pasmowego badanej struktury MOS. W pracy tej przedstawiono wyniki pomiarów przeprowadzonych na kondensatorach MOS wykonanych na podłożu 3C-SiC(n) różniących się materiałem bramki (Al, Ni oraz Au).

EN

n this work results are presented of the electrical and photoelectric measurements of MOS capacitors. consisting of different gate materials: Al. Ni and Au of different thicknesses SiO₂ insulator of thickness 60 nm, and n-doped 3C-SiC Many different measurement techniques are employed in order to completely define all parameters of the band diagram of the MOS structure which is the main goal of these investigations.

Słowa kluczowe

PL

węglik krzemu; napięcie wyprostowanych pasm w półprzewodniku; struktura MOS

EN

silicon carbide; flat-band voltage in semiconductor; MOS structure

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 9
• Strony: 109--114
• Opis fizyczny: Bibliogr. 14 poz., wykr.

Twórcy

autor

Piskorski K.

autor

Przewłocki H. M.

autor

Esteve R.

autor

Bakowski M.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

• [1] Shur M.: SiC parameters handbook, http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/SiC.
• [2] Perisl G. i in.: Traps at the SiC/SiO2-interface. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. vol. 640(3), 2001, pp 2.
• [3] Bakowski M. i in.: Development of 3C-SiC MOSFETs, J. Telec Information Tech., no 2, 2007, pp. 49-56
• [4] Nagasawa H. i in.: Fabrication of high performance 3C-SiC vertical MOSFETs by reducing planar defects, Silicon Carbide, Vol. 1: Growth, Defects, and Novel Applic., Ed. P. Friedrichs, Wiley, 2010.
• [5] Nicollian E. H., Brews J. R.: MOS Physics and Technology, J. Wiley and Sons, New York, 1982.
• [6] Fowler R. H.: The analysis of photoelectric sensitivity curves for clean metals at various temperatures, Phys. Rev. 38, 1931, pp. 45-56.
• [7] Berglund C. N., Powell R. J.: Photoinjection into SIO2: Use of optical interference to determine electron and hole contributions, J. Appl. Phys. 40(13), 1969, pp. 5093-5101.
• [8] Afanas’ev V. V.: Intiernal Photoemission Spectroscopy. Principles and Applications, Elsevier, 2008.
• [9] Przewłocki H. M.: Internal photoemission characteristics of metal-insulator-semiconductor structures at low electric fields in the insulator, J. Appl. Phys. 85(9), 1999, pp. 6610-6618.
• [10] Przewłocki H. M.: Theory and applications of internal photoemission in the MOS system at low electric fields, Solid State Electr. 45, 2001, pp. 1241-1250.
• [11] Jakubowski A., Krawczyk S.: Electrical properties of the MIS capacitor under illumination, Electron Technology 11(1/2), 1978, pp. 3-22.
• [12] Afanas’ev V. V. i in.: Band offsets and electronic structure of SiC/SIO2 interfaces, J. Appl. Phys. 79(6), 1996, pp. 3108-3114.
• [13] Afanas’ev V. V. i in.: Intrinsic SiC/SiO2 interface states, Phys. Stat. Sol. (a) 162, 1997. pp. 321-337.
• [14] Michaelson H. B.: The work function of the elements and its periodicity, J. Appl. Phys. 48(11), 1977, pp. 4729-4733.