Wpływ defektów o głębokich poziomach na wysokość bariery w diodzie Schottky'ego 4H-SiC

• Autorzy: Zaremba G. , Jung W. , Kamińska E. , Borysiewicz M. , Korwin-Mikke K. , Adamus Z.

Warianty tytułu

EN

The influence of deep level defects on barrier height of 4H-SiC Schottky diode

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki. 10 ; 05-09.06.2011 ; Darłówko Wschodnie, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedyskutowano wpływ defektów o głębokich poziomach na wysokość bariery w diodzie Schottky'ego 4H-SIC. Defekty scharakteryzowano przy pomocy niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów (DLTS) w rożnych modach. Wyniki pomiarów DLTS zestawiono ze zmierzonymi charakterystykami prądowo-napięciowymi (I-V) oraz rezultatami numerycznej symulacji wpływu koncentracji dominującego defektu na wysokość bariery Schottky'ego. Na potrzeby symulacji wykorzystano zależności na wysokość bariery Schottky'ego z modelu Cowley-Sze. Na podstawie wyników pomiarów oraz symulacji stwierdzono, ze koncentracja dominującego defektu jest zbyt mała aby miała ona znaczący wpływ na wysokości bariery, a różnice w koncentracji tego defektu w poszczególnych strukturach nie tłumaczą, rozrzutu charakterystyk I-V.

EN

This work presents discussion about influence of deep level defects on barrier height of 4H-SiC Schottky diode. Defects were characterized by mean of deep level transient spectroscopy (DLTS) in different modes. Results of DLTS measurements were confronted with measured current-voltage (I-V) characteristics and results of numerical simulation of influence of deep level concentration on Schottky barrier height. Equation for barrier height, from Cowley-Sze model was used as a base for calculation. It seems from results of measurements and simulation that concentration of dominant defect is too small to have significant influence on barrier height. Additionally, differences in concentration of dominant defect in different structures. do not explain spread in measured I-V characteristics.

Słowa kluczowe

PL

bariera Schottky'ego; defekty o głębokich poziomach; DLTS; 4H-SiC

EN

Schottky barrier; deep level defects; DLTS; 4H-SiC

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 9
• Strony: 106--109
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz., wykr.

Twórcy

autor

Zaremba G.

autor

Jung W.

autor

Kamińska E.

autor

Borysiewicz M.

autor

Korwin-Mikke K.

autor

Adamus Z.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

• [1] Ewing D. J., L. M. Porter, Q. Wahab, X. Ma, T. S. Sudharshan, S. Tumakha, M. Gao, L. Brillson: Inhomogeneities in Ni/4H-SiC Schottky barriers: Localized Fermi-level pinning by defect states. J. Appl. Phys. vol. 101, pp. 114514-114523, 2007.
• [2] Ewing D. J., Q. Wahab, R. R. Ciechonski, M. Syväjärvi, R. Yakimova, L. M. Porter: Inhomogeneous electrical characteristics in 4H-SIC Schottky diodes. Semicond. Sci. Technol., vol. 22. pp. 1287-1291, 2007.
• [3] Caslaldini A., A. Cavallini, L. Rigutti, F. Nava, S. Ferrero, F. Giorgis: Deep levels by proton and electron irradiation in 4H-SIC. J. Appl. Phys., vol. 98, pp. 053706-053711, 2005.
• [4] Hemmingsson C., N. T. Son, O. Kordina, J. P. Bergman, E. Janzen, J. L. Lindström., S. Savage, N. Nordell: Deep level defects in electron-irradiated 4H SiC epitaxial layers. J. Appl. Phys., vol. 81, pp. 6155-6159, 1997.
• [5] Litton C. W., D. Johnstone, S. Akarca-Biyikli, K. S. Ramaiah, I. Bhat, T. P. Chow, J. K. Kim, E. F. Schubert: Effect of C/Si ratio on deep levels in epitaxial 4H-SiC. Appl. Phys Lett., vol. 88. pp. 121914-121916, 2006.
• [6] Pintile I., L. Pintile, K. Irmscher, B. Thomas: Formation of the Z1,2 deep-level defects in 4H-SiC epitaxial layers: Evidence for nitrogen participation. Appl. Phys. Lett., vol. 81, pp. 4841-4843, 2002.
• [7] Storasta L., J. P. Bergman, E. Janzen, A. Henry, J. Lu: Deep levels created by low energy electron irradiation in 4H-SiC. J. Appl. Phys., vol. 96, pp. 4909-1915, 2004.
• [8] Dalibor T., G. Pensl, H. Matsunami, T. Kimoto, W. J. Choyke, A. Schöner, N. Nordell: Deep Defect Centers in Silicon Carbide Monitored with Deep Level Transient Spectroscopy. Phys. Stat. Sol. A, vol. 162, pp. 199-225, 1997.
• [9] Sze S. M., Kwok K. Ng: Physics of Semiconductor Devices. John Wiley & Sons, Inc., Hoboken, New Jersey, 2007.