Optymalizacja procesu NIL pod kątem wytwarzania wzorów o wymiarach krytycznych 200 nm na krzemie o orientacji 100

Ekielski, M.; Sidor, Z.; Juchniewicz, M.; Płuska, M.; Piotrowska, A.

Artykuł - szczegóły

Tytuł artykułu

Optymalizacja procesu NIL pod kątem wytwarzania wzorów o wymiarach krytycznych 200 nm na krzemie o orientacji 100

Autorzy

Ekielski M. , Sidor Z. , Juchniewicz M. , Płuska M. , Piotrowska A.

Identyfikatory

Warianty tytułu

NIL process optimization for fabrication of 200 nm critical dimension pattern on (100)-oriented silicon substrates

Konferencja

Krajowa Konferencja Elektroniki. 10 ; 05-09.06.2011 ; Darłówko Wschodnie, Polska

Języki publikacji

Abstrakty

Przeprowadzono badania mające na celu zoptymalizowanie parametrów procesu nanostemplowania w zastosowaniu do wytwarzania periodycznych wzorów pasków o wymiarach 200 nm. W eksperymencie posłużono się stemplem krzemowym wykonanym technikami litografii laserowej trawienia jonowego oraz trawienia zogniskowaną wiązką jonową. Badania przeprowadzono na podłożach krzemowych (100) o wymiarach 1x1 cm pokrytych warstwą rezystu mr-I 7020E o grubości 215 nm. W rezultacie otrzymano wzór pasków o głębokości równej 210 nm, co oznacza, iż grubość warstwy resztkowej wyniosła 5 nm.

Optimization of NIL process parameters for fabrication of 200 nm periodic stripes pattern was carried out. In our experiment silicon stamp made by means of laser lithography. reactive ion etching on focused ion beam was used. As a substrate, (100) Si with dimensions of 1x1 cm² coated with mr-I 7020E resist with thickness of 215 nm was used. In result, stripes pattern with 210 nm depth was achieved. what indicates that residual layer thickness was equal 5 nm.

Słowa kluczowe

nanostemplowanie FIB metoda Taguchi

nanoimprint FIB Taguchi method

Wydawca

Wydawnictwo SIGMA-NOT

Czasopismo

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Rocznik

2011

Tom

Vol. 52, nr 9

Strony

95--97

Opis fizyczny

Bibliogr. 23 poz., il., tab.

Twórcy

autor

Ekielski M.

autor

Sidor Z.

autor

Juchniewicz M.

autor

Płuska M.

autor

Piotrowska A.

Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

[1] Chou S. Y., P. R. Krauss, P. J. Renstrom: Applied Physics Letters, 67 p. 3114-3116 (1995).
[2] Tan H., A. Gilbertson and S. Y. Chou: J. Vac. Sci. Technol B 16 p. 3926-6 (1998).
[3] Haatainen T., J. Ahopelto, G. Gruetzner, M. Fink, K. Pfeiffer: Proc SPIE 3997 p. 874-80, (2000).
[4] Resnick D. J., D. Mancini, W. J. Dauksher, K. Nordquist, T. C. Bailey, S. Johnson, S. V Sreenivasan, J. G. Ekerdt: Microelectronic Engineering 69 p. 412-419 (2003).
[5] Ishihara K., M. Fujita, I. Malsubara, T. Asano, S. Noda: Applied Physics Letters 90 (11), p. 111114-111114-3 (2007).
[6] Belotti M., M. Galli, D. Bajoni, L. C. Andreani, G. Guizzetti, D. Decanini and Y. Chen: Microelectronic Engineering 73-74, p. 405-411 (2003).
[7] M. Belotti, J. Torres, E. Roy, A. Pepin, Y. Cherig, D. Gerace, L. C. Andreani, M. Galii: Journal of Applied Physics 99 (2), p. 024309 - 024309-4 (2006).
[8] Reboud V., N. Kehagias, C. M. Sotomayor Torres, M. Zelsmann, M. Striccoli, M. L. Cum, A. Agostiano, M. Tamborra, M. Fink: Appl. Phys. Lett. 90, 011115 (2007).
[9] Mirtensson T., Patrick Carlberg, Magnus Borgstrom, Lars Montelius, Werner Seilert and Lars Samuelson: Nano Lett., 4 (4), pp 699-702 (2004).
[10] Perentos A., Kostovski G., Mitchell A.: Photonics Technology Letters, IEEE, 17(12), p. 2595-2597 (2005).
[11] Meshi L., D. Cherns, I. Griffiths, S. Khongphetsak, A. Gott, C. Liu, S. Denchitcharoen, P. Shields, W. Wang, R. Campion: Phys Stat. Sol. (c) 5, No. 6, 1645-1647 (2008).
[12] L. J. Heyderman, H. Schift, C. David, J. Gobtecht and T. Schweizer: Microelectronic Engineering 54 (3-4), p. 229-245 (2000).
[13] Mele E., F. Di Benedetto, L. Persano, R. Cingolani, D. Pisignano: Nano Lett. 5(10), p. 1915-1919 (2005)
[14] Sun-Sik Song, Eun-Uk Kim, Hee-Soo Jung, Ki-Seok Kim and Gun-Young Jung: J. Micromech. Microeng. 19 (2009) 105022 (5pp).
[15] Yu Z., P. Deshpande, W. Wu, J. Wang, S. Y. Chou: Appl. Phys. Lett. 77, 927 (2000)
[16] Yu Z., H. Gao, W. Wu, H. Ge, S. Y. Chou: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectranics and Nanometer Structures, 21 (6), p. 2374-2877, (2003).
[17] Hung-Wen Huang, Jhi-Kai Huang, Shou-Yi Kuo, Kang-Yuan Lee, and Hao-Chung Kuo: Appl. Phys. Lett. 96, 263115 (2010).
[18] Bae B.-J., S.-H. Hong, E.-J. Hong, H. Lee, G.-Y. Jung: Jap. J. of Appl. Phy., 48, 010207 (2009).
[19] Schulz H., M. Wissen, N. Bogdanski, H.-C. Scheer, K. Mattes, Ch. Friedrich: Microelectronic Engineering 83 p. 259-280 (2006).
[20] Heyderman L. J., H. Schift, C. David, J. Gobrecht, T. Schweizer: Microelectronic Engineering 54 p. 229-245 (2000).
[21] Scheer H.-Ch., N. Bogdanski, M. Wissen: Japanese Journal of Applied Physics 44, 7B, p. 5609-5616 (2005)
[22] Schulz H., M. Wissen, H.-C. Scheer: Microelectr. Engineering 67-68 p. 657-663(2003).
[23] Taguchi G.: Introduction to Quality Engineering, Asian Productivity Organization. Tokyo, 1986.

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-article-BWAK-0027-0024