Domieszkowanie ZnO na typ p przy użyciu N i Ag: tworzenie wytrąceń i rola wodoru

• Autorzy: Volniańska O. , Bogusławski P.

Warianty tytułu

EN

P-type doping of ZnO using Ag and N: formation of inclusions and the role of hydrogen

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki. 10 ; 05-09.06.2011 ; Darłówko Wschodnie, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przeprowadzono analizę efektywności domieszkowania ZnO na typ p przy użyciu Ag i N Obliczenia zostały wykonane metodą ab initio przy użyciu dużych komórek. Rozpatrzono energetykę tworzenia par i trójek Ag-N, które ogranicza efektywność domieszkowania. Wodór, który jest nieintencjonalnym donorem, z jednej strony blokuje proces tworzenia się par i większych nanoagregatów Ag-N-Ag itd., z drugiej jednak strony kompensuje on akceptory donorem obniżając efektywność domieszkowania. Wyniki te wskazują, że warstwy ZnO o dobrym przewodnictwie typu p można otrzymać hodując je w warunkach bogatych w H, a następnie wygrzać je powodując wydyfundowanie wodoru.

EN

Analysis of p-doping of ZnO using Ag and N was performed using ab initio methods and large supercells. Energetics of formation of pairs and triangles Ag-N was considered. It was shown that the effect lowers the doping efficiency. Hydrogen, which is a non-intentional donor blocks the formation of such nano-inclusions, but it also compensates acceptors thus lowering the doping efficiency. These results indicate that ZnO films of good properties can be obtained conducting the growth in H-rich conditions, and then performing a post-growth annealing that causes the out diffusion of hydrogen.

Słowa kluczowe

PL

ZnO; domieszkowanie ZnO; akceptor; wodór; wytrącenia; kompensacja

EN

ZnO; doping; acceptors; hygrogen; inclusions; compensation

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 9
• Strony: 89--91
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., il.

Twórcy

autor

Volniańska O.

autor

Bogusławski P.

• Instytut fizyki PAN, Warszawa

Bibliografia

• [1] McCluskey M. D., S. J. Jokela: J. Appl. Phys. 106, 071101(2009). Artykuł zawiera doskonały przegląd problemów związanych z domieszkowaniem i kompensacją przed wodór i defekty rodzime.
• [2] Kamińska E., I. Pasternak, P. Bogusławski, A. Jezierski, E. Dynowska, R. Jakiela, E. Przezdziecka, A. Piotrowska. J. Kossut: Proc. Int. Conf. Phys. Semicond. ICPS 2008
• [3] Lu J. G., Y. Z. Zhang, Z. Z. Ye, L. P Zhu, L. Wang, B. H. Zhao, Q. L. Liang: Appl. Phys. Lett. 88, 222114 (2006).
• [4] Perdew J. P., K. Burke, M. Ernzerhof: Phys. Rev. Lett. 77, 3865 (1996),
• [5] www.pwscf.org.
• [6] Vanderbilt D.: Phys. Rev. B 41, 7892(R) (1990).
• [7] Monkhorst H. J., J. D. Pack: Phys. Rev. B 13, 5188 (1976).
• [8] Volniańska O., P. Bogusławski, J. Kaczkowski, P. Jakubas, A. Jezierski, and E. Kamińska: Phys. Rev. B 80, 245212 (2009).