Mechanizm wzrostu warstw GaN techniką epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu

• Autorzy: Kłosek K. , Sobańska M. , Żytkiewicz Z. R.

Warianty tytułu

EN

Mechanism of growth of GaN layers by molecular beam epitaxy with the use of RF plasma nitrogen source

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki. 10 ; 05-09.06.2011 ; Darłówko Wschodnie, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy omówiono metodę określenia optymalnych parametrów procesu wzrostu warstw azotku galu techniką epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu. Przedstawiono również metodę kontroli parametrów pracy źródła plazmowego. Przeprowadzone doświadczenia doprowadziły do precyzyjnej kontroli proporcji Ga/N na powierzchni rosnącej warstwy, co pozwoliło na uzyskanie stabilnego dwuwymiarowego wzrostu warstw GaN o wysokiej jakości.

EN

A method that allows determination of optimal conditions of growing GaN epilayers by molecular beam epitaxy with the use of RF plasma nitrogen source is presented. A way of controlling parameters of the nitrogen plasma source is also discussed. Procedure elaborated allowed precise adjustment of Ga/N ratio on the surface of growing layer, which is crucial for stable, two-dimensional growth of high quality GaN layers.

Słowa kluczowe

PL

epitaksja z wiązek molekularnych; PAMBE; GaN; plazmowe źródło azotu

EN

molecular beam epitaxy; PAMBE; GaN; RF plasma nitrogen source

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 9
• Strony: 85--88
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., il., wykr.

Twórcy

autor

Kłosek K.

autor

Sobańska M.

autor

Żytkiewicz Z. R.

• Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk

Bibliografia

• [1] Northrup J. E., J. Neugebauer, R. M. Feenstra, A. R. Smith: Structure of GaN(0001): the laterally contracted Ga bilayer model. Phys. Rev. B, vol. 61, pp. 9932-9935, 2000
• [2] Georgakilas A., H. M. Ng, P. Komninou: Plasma-assisted molecular beam epitaxy of III-V nitrides. W “Nitride semiconductors handbook on materials and devices” ed P. Ruterana, U. Albrechl, J. Neugebauer, WILEYA-VCH, 2003.
• [3] Siekacz M., M. L. Szankowska, A. Feduniewicz-Zmuda, J. Smalc-Koziorowska, G. Cywinski, S. Grzanka, Z. R. Wasilewski, I. Grzegory, B. Łucznik, S. Porowski, C. Skierbiszewski: InGaN light emitting diodes for 415 nm - 520 nm spectral range by plasma assisted MBE Phys. Stat. Solidi C, vol. 6, pp. 5917-5920, 2009.
• [4] Koblmuller G., S. Fernandez-Garrido, E. Calleja, J. S. Speck: In situ investigation of growth modes during plasma-assisted molecular beam epitaxy of (0001) GaN. Appl. Phys. Lett., vol. 91, pp 161904-3, 2007