Charakteryzacja elektryczna ceramicznej oprawki tranzystora RF

• Autorzy: Kopyt P. , Gryglewski D. , Korpas P. , Wojtasiak W. , Gwarek W.

Warianty tytułu

EN

Electrical Charactenzation of a RF transistor package

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki. 10 ; 05-09.06.2011 ; Darłówko Wschodnie, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule opisano sposób modelowania ceramicznej oprawki mikrofalowego tranzystora mocy. W celu przeprowadzenia pomiaru chip tranzystora został zastąpiony niesymetryczną linią, paskową o wymiarach zbliżonych do chipu i połączonych z wyprowadzeniami obudowy wieloma równoległymi połączeniami drutowymi. Na podstawie pomiarów przygotowano pełnofalowy model oprawki i wykorzystano go do znalezienia parametrów jej obwodu zastępczego.

EN

In this paper an approach to modeling of RF power transistor packages is discussed. The presented approach is based on measurements of a real package in which the transistor chip was replaced with a 2-port of known parameters and connected to the package leads with multiple parallel wirebonds. Based on measurements a full-wave model of the structure is prepared and used as an intermediary step to extract parameters of the equivalent circuit of the transistor package.

Słowa kluczowe

PL

oprawka tranzystora; tranzystor mocy; obwód zastępczy; montaż drutowy; modelowanie numeryczne

EN

semiconductor device packaging; power transistors; full-wave model; multiple wirebonds; coupled wirebonds

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 9
• Strony: 82--85
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., wykr.

Twórcy

autor

Kopyt P.

autor

Gryglewski D.

autor

Korpas P.

autor

Wojtasiak W.

autor

Gwarek W.

• Politechnika Warszawska, Instytut Radiotechniki

Bibliografia

• [1] Nosal Z., A. Abramowicz: 3-D electromagnetic analysis of the package influence on the IC performance. 13th Intl. Conf. on Microwaves, Radar and Wireless Comm., MIKON-2000, 22-24 maj 2000, Wrocław, pp. 561-564.
• [2] Doerr I., G. Sommer, H. Reichl: A novel modeling approach for multiple coupled wire bond interconnects. Proc. 8th IEEE Workshop on Signal Propagation on Interconnects, 9-12 May 2004, pp. 155-158.
• [3] Mouthaan K., et al.: Microwave modelling and measurement of the self- and mutual inductance of coupled bondwires. Proc. Bipolar/BiCMOS Circuits and Tech. Meeting, Minneapolis, USA, 1997, pp. 166-169.
• [4] QuickWave 3D QuickWave-3D (1997-2010), QWED Sp. z o.o., (www.qwed.com.pl).
• [5] Flucke J., F. Schmuckle, W. Heinrich, M. Rudolph: On the magnetic coupling between bondwires in power-transistor packages. Proc German Microwave Conference, 15-17 Mar. 2010, pp. 90-93.