Model diody elektroluminescencyjnej z ZnO

• Autorzy: Kowalczewski P. , Kuc M. , Piskorski K. , Sarzała R. P. , Nakwaski W.

Warianty tytułu

EN

Model of a ZnO light-emitting diode

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki. 10 ; 05-09.06.2011 ; Darłówko Wschodnie, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono eleklryczno-cieplny model diody elektroluminescencyjnej wykonanej z ZnO. Model może zostać użyty do wyznaczenia struktury pasmowej diody, jej quasi-poziomów Fermiego oraz dwu-wymiarowych rozkładów temperatury potencjału, koncentracji nośników i gęstości prądu. Model można ponadto wykorzystać do optymalizacji struktury diody dla różnych jej zastosowań.

EN

The self-consistent thermal-electrical model of the ZnO light-emitting diode is presented. It may be used to determine the band structure of the diode, its guasi-Fermi levels and two-dimensional profiles of temperature, potential, carrier concentrations and current densities. The model may also enable its structure optimisation for various possible applications.

Słowa kluczowe

PL

dioda elektroluminescencyjna; ZnO; model dryftowo-dytuzyjny; model termiczny

EN

ligtit-emitting diode; ZnO; drift-diffusion model; thermal model

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 9
• Strony: 76--78
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., wykr.

Twórcy

autor

Kowalczewski P.

autor

Kuc M.

autor

Piskorski K.

autor

Sarzała R. P.

autor

Nakwaski W.

• Politechnika Łódzka, Instytut Fizyki

Bibliografia

• [1] Xu W. Z., Z. Z. Ye, Y. J. Zeng, L. P. Zhu, B. H. Zhao, L. Jiang, J. G. Lu, H. P. He, S. B. Zhang: ZnO light-emitting diode grown by plasma-assisted metal organic vapor deposition. Appl. Phys. Lett., vol. 88, p. 173506, 2006.
• [2] Mang A., K. Reimann, and S. Rubenacke: Band gaps, crystalfield splitting, spin-orbit coupling, and exciton energies in ZnO under hydrostatic pressure. Solid State Commun., vol. 94, pp. 251-254, 1995
• [3] Morkoç H., Ü. Özgür: Zinc Oxide: Fundamentals, Materials and Device Technology. Wiley-VCH, 2009.
• [4] Özgür Ü., Ya. I. Alivov, C. Liu, A Teke, M. A. Reshchikov, S. Dodan, V. Avrutin, S.-J. Cho, and H. Morkoç: A comprehensive review of ZnO materials and devices. J. Appl. Phys., vol. 98, p. 041301, 2005.
• [5] Sun J. C., H. W. Liang, J. Z. Zhao, J. M. Bian, Q. J. Feng, L. Z. Hu, H. Q. Zhang, X. P. Liang, Y. M. Luo, and G. T. Du: Ultraviolet electroluminescence from n-ZnO:Ga/p-ZnO:N homojuncjon device on sapphire substrate with p-type ZnO:N layer formed by annealing in N2O plasma ambient. Chem. Phys. Lett., vol. 460, pp 548-551, 2008.
• [6] Chuang S. L.: Physics of Optoelectronic Devices. Wiley, New York, 1995.
• [7] Piprek J.: Semiconductor Optoelectronic Devices Physics and Simulation Academic Press, Amsterdam, 2003.