Próba zniwelowania wpływu naprężeń mechanicznych na działanie azotkowych diod elektroluminescencyjnych

• Autorzy: Morawiec S. , Sarzała R. P. , Nakwaski W.

Warianty tytułu

EN

An attempt to reduce an impact of mechanical stresses on an operation of nitride light-emitting diodes

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki. 10 ; 05-09.06.2011 ; Darłówko Wschodnie, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono samouzgodniony model azotkowej diody elektroluminescencyjnej uwzględniający efekty piezoelektryczne. Model składa się z analitycznej części tensorowej oraz części numerycznej rozwiązującej powiązane równania Schrödingera i Poissona. Następnie zastosowano ten model w celu znalezienia takich zmian konstrukcyjnych diody z obszarami czynnymi z wielokrotnymi studniami kwantowymi In(AI)GaN/GaN, które powinny doprowadzić do zniwelowania wpływu naprężeń mechanicznych na jej działanie. Cel ten został zrealizowany z pełnym sukcesem.

EN

The self-consistent model of the nitride light-emitting diode is presented including piezoelectric effects. It is composed of the analytical tensor part and numerical solving of coupled Schrödinger and Poisson equations. The model was used to propose some structure modifications of the diode with the In(AI)GaN/GaN multiple quantum well active-region, which are expected to reduce an impact of mechanical stresses within the diode volume on its performance, which has been successfully accomplished.

Słowa kluczowe

PL

dioda elektroluminescencyjna; GaN; efekt piezoelektryczny

EN

light-emitting diode; GaN; piezoelectric effect

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 9
• Strony: 70--72
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., wykr.

Twórcy

autor

Morawiec S.

autor

Sarzała R. P.

autor

Nakwaski W.

• Politechnika Łódzka, Zespół Fotoniki

Bibliografia

• [1] Onuma T., H. Amaike, M. Kubota, K. Okamoto, H. Ohta, J. Ichihara, H. Takasu, and S. Chichibu: Quantum-confined Stark effects in the mplane ln0.15Ga0.85N/GaN multiple quantum well blue light-emitting diode fabricated on low defect density free-standing GaN substrate. Applied Physics Letters, vol. 91, no 18, p. 181903, 2007.
• [2] Romanov A., T. Baker, S. Nakamura, and J. Speck: Strain-induced polarization in wurtzite III-nitride semipolar layers. Journal of Applied Physics, vol. 100. p. 023522, 2006.
• [3] Morkoç H.: Handbook of Nitride Semiconductors and Devices. Vol. 1: Materials Properties. Wiley-VCH, 2008.
• [4] Xu J., M. F. Schubert, A. N. Noemaun, D. Zhu, J. K. Kim, E. F. Schubert, M. H. Kim, H. J. Chung, S. Yoon, C. Sone. and Y. Park: Reduction in efficiency drop, forward voltage, ideality factor. and wavelength shift in polarization-matched GaInN/GaInN multi-quantum-well light-emitting diodes. Appl. Phys. Lett. vol. 94, p 011113, 2009
• [5] Ni X., J. Lee, M. Wu, X. Li, R. Shimada, Ü. Özgür, A. A. Baski, H. Morkoç, T. Paskova, G. Mulholland, and K. R. Evans: Internal quantum efficiency of c-plane InGaN and m-plane InGaN on Si and GaN. Appl. Phys. Lett. vol. 95, p. 101106, 2009.
• [6] Li X., X. Ni, J. Lee, M. Wu, Ü. Özgür, H. Morkoç, T. Paskova, G. Mulholland, and K. R. Evans: Efficiency retention at high current injection levels in m-plane InGaN light emitting diodes. Appl. Phys. Lett., vol. 95. p. 121107 (2009).
• [7] Masui H., S. Nakamura, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra: Nonpolar and semipolar III-nitride light-emitting diodes: achieve-ments and challenges. IEEE Trans. Electron. Devices. vol. 57. p. 88, 2010