Kompleksowa charakteryzacja struktur elektronicznych na podłożach SiC metodami fotoelektrycznymi, elektrycznymi i optycznymi

• Autorzy: Przewłocki H. M. , Gutt T. , Piskorski K. , Rzodkiewicz W. , Borowicz P. , Esteve R. , Bakowski M.

Warianty tytułu

EN

Comprehensive characterization of the electronic structures on SiC substrate using photoelectric, electric and optical methods

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki. 10 ; 05-09.06.2011 ; Darłówko Wschodnie, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono wyniki kompleksowej charakteryzacji serii różnych struktur MOS wykonanych na podłożach 3C-SiC. Struktury te różniły się między sobą sposobem wytworzenia warstwy SiO₂ (PECVD oraz utlenianie termiczne w wilgotnym tlenie) oraz materiałem bramki (Al, Au, Ni i poli-Si). Charakteryzację wykonano za pomocą zespołu metod fotoelektrycznych, elektrycznych i optycznych.

EN

The results of the comprehensive characterization of a MOS structures made on 3C-SiC substrate are presented The investigated structures differed in the way the dielectric layer was formed (PECVD, thermal oxidation) and in the gate material (Al. Ni, Au and poly-Si) Many different measurement techniques were employed: photoelectric, electric and optical methods.

Słowa kluczowe

PL

struktura MOS; węglik krzemu; schemat pasmowy; metody fotoelektryczne; metody elektryczne; metody optyczne

EN

MOS structure; silicon carbide; band diagram; photoelecric methods; electric methods; optical methods

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 9
• Strony: 49--52
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., wykr.

Twórcy

autor

Przewłocki H. M.

autor

Gutt T.

autor

Piskorski K.

autor

Rzodkiewicz W.

autor

Borowicz P.

autor

Esteve R.

autor

Bakowski M.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa, Polska

Bibliografia

• [1] Przewłocki H. M.: Theory and applications of internal photoemission in the MOS system at low electric fields. Solid State Electr. 45, 2001, pp. 1241-1250.
• [2] Przewłocki H. M., Piskorski K. i in.: Distribution of barrier heights, difference of effective contact potential, and local values of flat-band voltage in Al-SiO2-Si structures. Thin Solid Films 516, 2008, pp. 4184-1189.
• [3] Piskorski K i in.: Określanie schematów pasmowych struktur MOS o różnej metalizacji bramki na podłożu 3C-SIC, Materiały X Krajowej Konferencji Elektroniki. 05-09.06. 2011 r.
• [4] Gutt T. i in.: Wpływ materiału bramki, metody wytwarzania SiO2 i efektu krawędzi bramki na rozkłady gęstości pułapek powierzchniowych w kondensatorach MOS na 3C-SIC. Materiały X Krajowej Konferencji Elektroniki. 05-09.06, 2011.
• [5] Berglund C. N., Powell R. J.: Photoinjection into SiO2 use of optical interference to determine electron and hole contributions, J. Appl. Phys. 40 (13), 1969, pp. 5093-5101
• [6] Afanas'ev V. V. i in.: Intrinsic SiC/SiO2 interface states. Phys. Stat. Sol.(a) 162, 1997, pp. 321-337.
• [7] Borowicz P. i in.: Badania strukturalne warstw węglowych w niklowych kontaktach omowych za pomocą widzialnej i nadfioletowej spektroskopii ramanowskiej. Materiały X Krajowej Konferencji Elektroniki 05-09. 06. 2011.