Konstrukcja i modelowanie tranzystorów wertykalnych DIMOSFET w węgliku krzemu

• Autorzy: Taube A. , Sochacki M. , Szmidt J.

Warianty tytułu

EN

Modeling and simulation of 4H-SiC DIMOSFET vertical transistor

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki. 10 ; 05-09.06.2011 ; Darłówko Wschodnie, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono wyniki modelowania wertykalnego tranzystora DIMOSFET w węgliku krzemu. Przedstawiono wyniki wpływu kształtu profilu oraz energii i dozy implantacji wyspy typu p na parametry pracy tranzystora Szczególną uwagę poświęcono zapewnieniu wysokiej wartości napięcia przebicia przy jednoczesnym zachowaniu niskiej wartości napięcia progowego. W pracy przedstawiono również wpływ zastosowania dielektryków o wysokiej względnej przenikalności elektrycznej na charakterystyki elektryczne tranzystora. Wykonane symulacje pokazały, że możliwe jest uzyskanie rezystancji w stanie włączenia Ron poniżej 2 mΩcm⁻² (przy zakładanej ruchliwości elektronów w kanale µe=70 cm²/Vs) przy napięciu przebicia na poziomie 1,3 kV.

EN

Numerical device simulations on a 4H-SiC Vertical MOSFET are presented. The simulations mainly focus on the influence of design parameters on reverse blocking voltage, threshold voltage, forward characteristics and on state resistance. Influence of usage of high-k dielectrics is also discussed Optimised structure have high blocking voltage of 1 3kV and very low specific on resistance of 1.59 mΩcm⁻².

Słowa kluczowe

PL

węglik krzemu; MOSFET; DIMOSFET; wertykalny tranzystor; modelowanie; dielektryki o wysokiej stałej dielektrycznej

EN

silicon carbide; MOSFET; DIMOSFET; vertical transistor modeling; high-k dielectrics

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 9
• Strony: 45--49
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., wykr.

Twórcy

autor

Taube A.

autor

Sochacki M.

autor

Szmidt J.

• Instytut Technologii Elektrojnowej, Warszawa

Bibliografia

• [1] Krishnamoorthy S., V. Mickevicius: Comprehensive simulations aim to cut SiC device development costs. Compound Semiconductor, October 2003, pp. 31-33.
• [2] Taube A., M. Sochacki, J. Szmidt: Optymalizacja konstrukcji i modelowanie tranzystora RESURF LJFET w 4H-SiC. Elektronika: konstrukcje, technologie, zastosowania, 2009, Vol 50, nr 6, s. 20-25.
• [3] http://www.silvaco.com
• [4] Ziegler J. F.: SRIM-2003. Nucl. Instr. Meth. B 219-220: 1027 (2004).