Modelowanie zjawisk fotoelektrycznych w zakresie ultrafioletu w strukturach metal/izolator/GaN

• Autorzy: Adamowicz B. , Bidziński P. , Miczek M. , Matys M.

Warianty tytułu

EN

Modeling of ultraviolet photoelectronic phenomena in metal/insulator/GaN structures

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki. 10 ; 05-09.06.2011 ; Darłówko Wschodnie, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono teoretyczną analizę wpływu stanów elektronowych na granicy izolator/GaN oraz jakości objętości GaN (czasu życia nośników nadmiarowych) na fotopojemność i fotonapięcie powierzchniowe w spolaryzowanej elektrycznie strukturze metal/izolator/GaN oświetlonej promieniowaniem ultrafioletowym. Obliczenia wykonano korzystając z równań modelu dryftowo-dyfuzyjnego rozwiązywanych metodą elementów skończonych w pakiecie COMSOL Multiphysics. Analizę przeprowadzono pod kątem zastosowania struktury w detekcji ultrafioletu.

EN

The paper contains the theoretical analysis of the influence of electron states at an insulator/GaN mterface and of GaN bulk quality (in terms of carrier lifetime) on photocapacitance and surface photovoltage in the metal/insulator/n-GaN structure under ultraviolet light illumination and under the metal gate bias. The calculations have been done using the equations of the drift-diffusion model solved utilizing finite element method in COMSOL Multiphysics package The results have been analyzed from the viewpoint of the application of the structure for ultraviolet detection.

Słowa kluczowe

PL

GaN; metal/izolator; metal/półprzewodnik; fotonapięcie powierzchniowe; rekombinacja powierzchniowa; detektor ultrafioletu; metoda elementów skończonych

EN

GaN; metal-insulator; metal/semiconductor; photocapacitance; surface photovoltage; surface recombinalion; finite element method

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 9
• Strony: 43--45
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., wykr.

Twórcy

autor

Adamowicz B.

autor

Bidziński P.

autor

Miczek M.

autor

Matys M.

• Politechnika Śląska, Instytut Fizyki - Centrum Naukowo-Dydaktyczne, Gliwice

Bibliografia

• [1] Muńoz E.: (Al,In,Ga)N-Based Photodetectors. Some Materials Issues. Phys. Stal. Sol. B, vol. 244. pp. 2859-2877, 2007.
• [2] Mizue C., M. Miczek, J. Kotani, T. Hashizume: UV-Induced Variation of Interface Potential in AlOx/n-GaN Structure. Jpn. J. Appl. Phys., vol. 48, pp. 020201-1-020201-3, 2009.
• [3] Hasegawa, H. Ohno: Unified Disorder Induced Gap Stale Model for Insulator-Semiconductor and Metal-Semiconductor Interfaces. J. Vac. Sci. Technol. B, vol. 4. pp. 1130-1138, 1986.
• [4] Nicollian N. H., J. R. Brews: MOS (metal-oxide-semiconductor). Physics and Technology. Wiley. Nowy Jork, 1982
• [5] Bidziński P., M. Miczek, B. Adamowicz, C. Mizue, T, Hashizume: Impact of Interface States and Bulk Carrier Lifetime on Photocapacitance of Metal/Insulator/GaN Structure for UV Light Detection. Jpn. J. Appl. Phys., vol. 50, 2011 -w druku.
• [6] Miczek M., B. Adamowicz, T. Hashizume, H. Hasegawa: Influence of Surface States and Bulk Ttraps on Non-equilibrium Phenomena at GaAs and GaN Surfaces. Optica Applicata, vol. 35. pp. 355-361, 2005