Badania elektronomikroskopowe kontaktów omowych do węglika krzemu wytwarzanych na bazie niklu

Wzorek, M.; Czerwiński, A.; Kuchuk, A.; Ratajczak, J.; Piotrowska, A.; Kątcki, J.

Artykuł - szczegóły

Tytuł artykułu

Badania elektronomikroskopowe kontaktów omowych do węglika krzemu wytwarzanych na bazie niklu

Autorzy

Wzorek M. , Czerwiński A. , Kuchuk A. , Ratajczak J. , Piotrowska A. , Kątcki J.

Identyfikatory

Warianty tytułu

Electron microscopy studies on Ni-based ohmic contacts to silicon carbide

Konferencja

Krajowa Konferencja Elektroniki. 10 ; 05-09.06.2011 ; Darłówko Wschodnie, Polska

Języki publikacji

Abstrakty

Przedstawiono wyniki charakteryzacji struktur wielowarstwowych Ni/Si dla kontaktów omowych do węglika krzemu. Struktury po kolejnych etapach wygrzewania badane były metodami mikroskopii elektronowej. W warstwach kontaktowych zaobserwowano charakterystyczne defekty: luki oraz nieciągłości rozciągające się poprzez całą grubość warstwy. Zostało zaproponowane wytłumaczenie mechanizmów prowadzących do powstawania tych defektów, oraz kierunek rozwoju dalszych badań w celu ich uniknięcia.

Ni-based multilayer structures for ohmic contacts to SiC were investigated using electron microscopy techniques. The contact structures were examined after each processing step. Specific defects were observed in the contact layers: the voids and the discontinuities of the contact layer. The explanation of the related mechanisms leading to formation of these defects is proposed as well as the direction of future studies to avoid formation of these defects.

Słowa kluczowe

transmisyjna mikroskopia elektronowa węglik krzemu kontakty omowe nikiel

transmission electron microscopy silicon carbide ohmic contacts nickel

Wydawca

Wydawnictwo SIGMA-NOT

Czasopismo

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Rocznik

2011

Tom

Vol. 52, nr 9

Strony

37--40

Opis fizyczny

Bibliogr. 11 poz., il., wykr.

Twórcy

autor

Wzorek M.

autor

Czerwiński A.

autor

Kuchuk A.

autor

Ratajczak J.

autor

Piotrowska A.

autor

Kątcki J.

Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

[1] Nikitina I. R., Vassilevski K. V., Wright N. G., Horsfall A. B., O'Neill A. G., Johnson C. M.: J. Appl. Phys, Vol. 97 (2005), p. 083709-1.
[2] Pécz B., Radnóczi G., Cassette S., Brylinski C., Arnodo C., Norblanc O.: Diamond Rel. Mat. Vol. 6 (1997), p. 1428.
[3] Kuchuk A., Kladko V., Guziewicz M., Piotrowska A., Minikayew R., Stonert A., Ratajczak R.: J. Phys: Conf. Ser. Vol. 100 (2008) p. 042003-1.
[4] Kuchuk A. V., V. P. Kładko, A. Piotrowska, R. Ratajczak, R. Jakiela: Materials Science Forum Vol. 615-617 (2009), p 573.
[5] Kuchuk A. V., M. Guziewicz, R. Ratajczak, M. Wzorek, V. P. Kladko and A. Piotrowska: Mater. Sci. Forum Vol. 645-648 (2010), p. 737.
[6] Wzorek M., A. Czerwinski, A. Kuchuk, J. Ratajczak. A. Piotrowska and J. Kaleki: Mater. Trans. Vol. 52 (2011). p. 315.
[7] Kittl J. A., M. A. Pawlak, C. Torregiani, A. Lauwers, C. Demeurisse, C. Vrancken, P. P. Absil, S. Biesemans. C. Coia, C. Detavernier, J. Jordan-Sweet and C. Lavoie: Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 172108-1-172108-3.
[8] Hong Jin Fan, M. Knez, R. Scholz, D. Hesse, K. Nielsch, M. Zacharias, U. Gösele: Nano Lett. Vol. 7 (2007), p. 993.
[91 Ciccariello J. C., S. Poize, P. Gas: J. Appl. Phys. Vol 67 (1990) p. 3315.
[10] Landolt-Börnstein: Group IV Physical Chemistry. Vol. 51, Ni-Np - Pt-Zr, (Springer Verlag, 1998).
[11] Chen J. S., E. Kolawa, M-A. Nicolet, R. P Ruiz, L. Baud. C. Jaussaud, R. Madar: J. Mater. Res. 9 (1994) 643-657.

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-article-BWAK-0027-0006