Trawienia półprzewodników szerokoprzerwowych GaN i SiC

Kruszka, R.; Korwin-Mikke, K.; Pasternak, I.; Wzorek, M.; Kamińska, E.; Piotrowska, A.

Artykuł - szczegóły

Tytuł artykułu

Trawienia półprzewodników szerokoprzerwowych GaN i SiC

Autorzy

Kruszka R. , Korwin-Mikke K. , Pasternak I. , Wzorek M. , Kamińska E. , Piotrowska A.

Identyfikatory

Warianty tytułu

Etching of wide bandgap semiconductors GaN and SiC

Konferencja

Krajowa Konferencja Elektroniki. 10 ; 05-09.06.2011 ; Darłówko Wschodnie, Polska

Języki publikacji

Abstrakty

W pracy przedstawiono wyniki badań procesów kształtowania wzorów w azotku galu i węgliku krzemu przy użyciu techniki fotolitografii optycznej oraz trawienia plazmowego ICP. Do trawienia GaN stosowano plazmy chlorowe BCl₃/Cl₂ lub CI₂/Ar. Natomiast do trawienia SiC użyto plazmy chlorowej BCl₃/Cl₂ oraz plazmy freonowej CF₄. Trawienia GaN i SiC prowadzono przez maski metaliczne (Cr), tlenkowe (SiO₂) oraz złożone (Cr/SiO₂). Porównano szybkości trawienia w różnych rodzajach plazm oraz chropowatość powierzchni przed trawieniem i po procesie trawienia.

This work concerns results of the studies on forming ot the patterns in gallium nitride and silicon carbide using optical photolithography and plasma etching techniques. For GaN etching chlorine plasma BCl₃/Cl₂ or CI₂/Ar were used. SiC has been etched in BCl₃/Cl₂ chlorine and freon CF₄ plasmas. The rate of etching in different types of plasmas and surface roughness before and after etching process were compared.

Słowa kluczowe

GaN SiC trawienie ICP plazma BCl3/Cl2 plazma CI2/Ar CF4

GaN SiC echmg ICP plasma BCl3/Cl2 plasma CI2/Ar CF4

Wydawca

Wydawnictwo SIGMA-NOT

Czasopismo

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Rocznik

2011

Tom

Vol. 52, nr 9

Strony

32--36

Opis fizyczny

Bibliogr. 15 poz., il., wykr.

Twórcy

autor

Kruszka R.

autor

Korwin-Mikke K.

autor

Pasternak I.

autor

Wzorek M.

autor

Kamińska E.

autor

Piotrowska A.

Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

[1] Kim H., Y. Sung, D. Kim, T. Kim, M. Dawson, G. Yeom: Etch endpoint detection of Gan-based devices using optical emission spectrascopy. Materials Science and Engineering B, Vol 82 159, 2001.
[2] Rizzi R., K. Bejtka, F. Semond, E. Gu, M. D. Dawson, I. M. Watson, R. W. Martin: Dry etching of N-face GaN using two high-density plasma etch techniques. Physica Status Solidi, (c) Vol. 4, No. 1, 200-203, 2007.
[3] Remashan K., S. J. Chua, A. Ramam, S. Prakash, W. Liu: Inductively Coupled Plasma Etching of GaN using BCl3/Cl2 chemistry and photoluminescence studies of the etched samples. Semiconductor Science and Technology, Vol. 15, 386-389, 2000.
[4] Baharin A., R. S. Pinio, U. K. Mishra, B. D. Nener, G. Parish: Low resistivity contacts to plasma etched Mg-dopped GaN using very low power inductively coupled plasma etching. Thin Solid Films Vol. 519(11), 3686-3689, 2011.
[5] Rosli S. A., A. A. Aziz, R. Hasim: ICP-RIE Dry Etching Using Cl2 -based on GaN. Sains Malaysiana. Vol. 40(1), 79-82. 2011.
[6] Fang Z.-Q., D. C. Look, X.-L. Wang, J. Han, F. A. Khan, I. Adesida: Plasma-etching-enhanced deep centres in n-GaN grown by metalorganic chemical-vapor deposition. Appl. Phys. Lett., Vol. 82, No 10, 1562-1565, 2003.
[7] Oubensaid E. H., C. Y. Duluard, L. E. Pichon, J. Pereira, M. Boufnichel, P. Lefaucheux, R. Dussart, P. Ranson: Effect of the addition of SF6 and N2 in inductively coupled SiCl4 plasma for GaN etching. Semiconductor Science and Technology, Vol. 24, 075022-9, 2009.
[8] Li B., L. Cao, J. H. Zhao: Evaluation of damage induced by inductively coupled plasma etching of h-SiC using Au Schottky barrier diodes. Appl. Phys. Lett., Vol. 73, No 5, 653-655 1998.
[9] Ru H., Y. Yang-Tang, F. Xiao-Ya: Mictrotrenching geometry of 6H-SiC plasma etching. Vaccum, Vol. 85, 400-404, 2010.
[10] Kim B., S. Kim, S-C. Ann, B-T. Lee: Proximity-controlled silikon carbide etching in inductively coupled plasma. Thin Solid Films Vol. 434, 276-282, 2003.
[11] Xia J. H., Rusli, S. F. Choy, R. Gopalakrihan. C. C. Tin, S. F. Yoon, J. Ahn: CHF3-O2 reactive ion etching of 4H-SiC and the role of oxygen. Microelectronic Engineering, Vol. 83, 381, 2006.
[12] Richter C., K. Espertshuber, C. Wagner, M. Eickhoff, G. Krotz: Rapid plasma etching of cubic SiC using NF3/O2 gas mixtures. Materials Science and Engineering B Vol. 46, 160-163, 1997.
[13] Constantinidis G., J. Kuzmic, K. Michelakis, K. Tsagaraki: Schottky contacts on CF4/H2 reactive ion etching B-SiC. Solid-State Electronics, Vol. 42, No. 2, 253,1998.
[14] Kathalingam A., M-R. Kim, Y-S. Chae, S. Sudhakar, T. Mahalingam, J-K. Rhee: Self assembled micro masking effect the fabrication of SiC nanopillars by ICP-RIE dry etching. Applied Surface Science Vol. 257, 3850-3855, 2011.
[15] Lee H. Y., D. W. Kim, Y. J. Sung, G. Y. Yeom: Fabrication of SiC micro-lens by plasma etching. Thin Solid Films, Vol. 475, 318-322. 2005.

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-article-BWAK-0027-0005