Krystalizacja i właściwości warstw GaN osadzanych na podłożach Si(111) techniką epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu

• Autorzy: Żytkiewicz Z. R. , Sobańska M. , Łusakowska E. , Kłosek K. , Borysiuk J. , Wierzbicka A. , Reszka A.

Warianty tytułu

EN

Growth and properties of GaN layers grown on Si(111) substrates by molecular beam epitaxy with plasma nitrogen source

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki. 10 ; 05-09.06.2011 ; Darłówko Wschodnie, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono szczegóły procesu wzrostu warstw GaN na podłożach Si(111) przy wykorzystaniu techniki epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu. Omówiono również wpływ warunków wzrostu na właściwości otrzymywanych warstw.

EN

In this work details of procedure of GaN growth on Si(111) substrates by molecular beam epitaxy with the use of RF plasma nitrogen source are presented Influence of growth conditions on properties of the layers is discussed.

Słowa kluczowe

PL

azotek galu; GaN; epitaksja z wiązek molekularnych; PAMBE; plazmowe źródło azotu; krzem; Si(111)

EN

gallium nitride; GaN; molecular beam epitaxy; PAMBE; nitrogen plasma source

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 9
• Strony: 27--30
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., il., wykr.

Twórcy

autor

Żytkiewicz Z. R.

autor

Sobańska M.

autor

Łusakowska E.

autor

Kłosek K.

autor

Borysiuk J.

autor

Wierzbicka A.

autor

Reszka A.

• Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk, Warszawa

Bibliografia

• [1] Le Louarn A., Yenezian S., Semond F., Massies J.: AIN buffer layer growth for GaN epitaxy on (111) Si:Al or N first? J. Crystal Growih, vol. 311, pp. 3278-32B4. 2009
• [2] Northrup J. E., Neugebauer J., Feenslra R. M , Smith A. R : Struć-turę of GaN(0001): the laterally contracted Ga bilayer model Phys. Rev. B, vol. 61, pp. 9932-9935, 2000.
• [3] Chuah L. S., Hassan Z., Ng S. S., Abu Hassan H.: Structural Properties of Doped GaN on Si(111) Studied by X-Ray Diffraction Techniques. J. Nondestruct. Eval., vol. 28, pp. 125-130, 2009
• [4] Kim D-W., Lea C.-R.: N-type doping of GaN/Si(111) using Al0.2Ga0.8N/AIN composite buffer layer and Al0.2Ga0.8N/GaN superlattice. J Crystal Growih, vol 286, pp. 235-239, 2006.