Tytuł artykułu
Identyfikatory
Warianty tytułu
Growth and properties of GaN layers grown on Si(111) substrates by molecular beam epitaxy with plasma nitrogen source
Konferencja
Krajowa Konferencja Elektroniki. 10 ; 05-09.06.2011 ; Darłówko Wschodnie, Polska
Języki publikacji
Abstrakty
W pracy przedstawiono szczegóły procesu wzrostu warstw GaN na podłożach Si(111) przy wykorzystaniu techniki epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu. Omówiono również wpływ warunków wzrostu na właściwości otrzymywanych warstw.
In this work details of procedure of GaN growth on Si(111) substrates by molecular beam epitaxy with the use of RF plasma nitrogen source are presented Influence of growth conditions on properties of the layers is discussed.
Wydawca
Rocznik
Tom
Strony
27--30
Opis fizyczny
Bibliogr. 4 poz., il., wykr.
Twórcy
autor
autor
autor
autor
autor
autor
autor
- Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk, Warszawa
Bibliografia
- [1] Le Louarn A., Yenezian S., Semond F., Massies J.: AIN buffer layer growth for GaN epitaxy on (111) Si:Al or N first? J. Crystal Growih, vol. 311, pp. 3278-32B4. 2009
- [2] Northrup J. E., Neugebauer J., Feenslra R. M , Smith A. R : Struć-turę of GaN(0001): the laterally contracted Ga bilayer model Phys. Rev. B, vol. 61, pp. 9932-9935, 2000.
- [3] Chuah L. S., Hassan Z., Ng S. S., Abu Hassan H.: Structural Properties of Doped GaN on Si(111) Studied by X-Ray Diffraction Techniques. J. Nondestruct. Eval., vol. 28, pp. 125-130, 2009
- [4] Kim D-W., Lea C.-R.: N-type doping of GaN/Si(111) using Al0.2Ga0.8N/AIN composite buffer layer and Al0.2Ga0.8N/GaN superlattice. J Crystal Growih, vol 286, pp. 235-239, 2006.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWAK-0027-0003