Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych : Panorama Projektu PO IG 01.03.01-00-159/08 InTechFun

Piotrowska, A.; Kamińska, E.

Artykuł - szczegóły

Tytuł artykułu

Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych : Panorama Projektu PO IG 01.03.01-00-159/08 InTechFun

Autorzy

Piotrowska A. , Kamińska E.

Identyfikatory

Warianty tytułu

lnnovative technologies of multifunctional materials and structures for nanoelectronics, photonics, spintronics and sensor techniques : Overview of the Project PO IG 01.03.01-00-159/08 InTechFun

Konferencja

Krajowa Konferencja Elektroniki. 10 ; 05-09.06.2011 ; Darłówko Wschodnie, Polska

Języki publikacji

Abstrakty

Nakreślono tło ustanowienia projektu i zasadność podjęcia prowadzonych prac. Przedstawiono cele projektu i zakres działalności badawczo-rozwojowej. Omówiono strategię badawczą przyjętą dla realizacji zasadniczego celu naukowego projektu jakim jest opracowanie nowych rozwiązań technologicznych i projektowych, a w oparciu o nie realizacja nowych przyrządów półprzewodnikowych wykorzystujących półprzewodniki szerokoprzerwowe - ZnO i półprzewodniki pokrewne, GaN i materiały pokrewne oraz SiC. Przedstawiono kryteria oceny postępu prac i specyfikację wyników końcowych, zwracając uwagę na to iż końcowym wynikiem projektu ma być nie tylko demonstracja nowych struktur materiałowych i przyrządów półprzewodnikowych lecz także realizacja interdyscyplinarnej platformy B+R umożliwiającej prowadzenie prac badawczo-rozwojowych zarówno w czasie trwania projektu jak i w skali długoczasowej, minimum przez 5 lat po zakończeniu projektu.

Background information on the project and a motivation behind have been outlined, project goals and scope have been presented. Research strategy has been discussed which aims at developing innovative technological processes and designs, and basing on these, novel semiconductor devices making use of wide bandgap semiconductors - ZnO. III-nitrides, and SiC. Criteria to evaluate the project progress and specification of project outcomes were given indicating that the final result of the project will rely not only on the demonstration of novel devices and products but also on establishing an interdisciplinary R&D platform capable to perform creative work, both within the project duration and in long-term timescale, minimum 5 years after the end of the project.

Słowa kluczowe

półprzewodniki szerokoprzerwowe przyrządy elektroniczne RF przyrządy półprzewodnikowe dużej mocy elektronika wysokotemperaturowa fotonika sensory optoelektroniczne spitronika

wide bangap semiconductors RF electronic devices high power semiconductor devices high-temperature electronics photonics optoelectronic sensors spintronics

Wydawca

Wydawnictwo SIGMA-NOT

Czasopismo

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Rocznik

2011

Tom

Vol. 52, nr 9

Strony

19--24

Opis fizyczny

Bibliogr. 25 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Piotrowska A.

autor

Kamińska E.

Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

[1] http://www.itrs.net, ITRS jest dokumentem publikowanym przez konsorcjum SEMATECH, którego udziałowcami są największe koncerny półprzewodnikowe, m. in. INTEL, IBM, Infineon, Hewlett Packard, National Semiconductors, AMD, NEC, Panasonic, Samsung, Toshiba, Teras Instruments, opracowywanym w ramach strategicznego programu współfinansowania prognoz długofalowych.
[2] ENIAC - European Nanoelectronics lnitiative Advisory Council, www.eniac.eu
[3] http://www.ist-mona.org MONA jest dokumentem końcowym projektu wspólfinansowanego przez Komisję Europejską i konsorcjum w skład którego wchodzili m. in. Yole Development, European Photonics Industry Consortium, CEA-LETI, IMEC, Alcatel Thales, Aixtron.
[4] Reichert H.: Group-III Nitrides Materiale Challenges and Applications in Optoelectronics. 29th Intern. Conf. On the Phys of Semiconductors, ICPS 2008, Rio de Janeiro, 27 July - 1 August 2008
[5] Weisbuch C.: The Physics of Photonic Crystals and LEDs. 29th Intern. Conf. On the Phys of Semiconductors, ICPS 2008, Rio de Janeiro, 27 July - 1 August 2008
[6] Nakamura S., Mukai T., Senoh M.: Candela-class high-brightness InGaN/AlGaN double-heterostructure blue-light-emitting diodes. Appl. Phys. Lett. vol. 64, p. 1687, 1994.
[7] Amano H., Kito M., Hiramatsu K., Akasaki I.: P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI). Jpn. J. Appl. Phys. vol. 28, p L2112, 1989
[8] Nakamura S., Mukai T., Senoh M., Iwasa N.: Thermal Annealing Effects on P-Type Mg-Doped GaN Films. Jpn J Appl. Phys vol. 31. p. L139, 1992; S. Nakamura, N. Iwasa, M. Senoh, T Mukai, “Hole Compensation Mechanism of P-Type GaN Films”. Jpn J. Appl. Phys. vol. 31, p. 1258, 1992.
[9] Akasaki J., Amano H.: Widegap column-III nitride semiconductors for UV/blue light emitting devices. J. Electrochem. Soc. vol, 141. p. 2266, 1994.
[10] Kuga Y., Shirai T., Huruyama M., Kawanishi H., Suematsu Y.: Violet and Near-UV Light Emission from GaN/Al0.08Ga0.92N Injection Diode Grown on (0001) 6H-SiC Substrate by Low-Pressure Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy. Jpn. J. Appl. Phys. Vol 34, p 4085, 1995.
[11] Han J., Crawford M. H., Shul R. J., Figiel J. J., Banas M., Zhang L., Song Y. K., Zhou H., Nurmikko A. V.: AlGaN/GaN quantum well ultraviolet light emitting diodes. Appl. Phys. Lett., vol. 73, p 1688, 1998.
[12] News, Compound Semiconductors, 3 November, 2005.
[13] Khan A.: Vertical conduction strategy cranks up UV LED output power Compound Semiconductors, vol. 14(3), p. 33, 2008.
[14] Allerman A. A., Crawford M. H., Fischer A. J., Bogart K. H. A., Lee S. R., Follstaedt D. M., Prouencio P. P.: Growth and design of deep-UV (240-290nm) light emitting diodes using AlGaN alloys. J. Cryst Growth, vol. 272, p. 227, 2004.
[15] Hughes B., Keeslmg M. J.: HRL pushes high-frequency envelope. Compound Semiconductors. vol. 13(10), p. 21, 2007.
[16] „Wide bandgap transistors: Toshiba set to ramp GaN HEMT”, Compound Semiconductors, vol. 13(10), p. 6, 2007.
[17] Stevenson R.: The world's best gallium nitride. IEEE Spectrum, vol. 47, p. 40, 2010.
[18] Sumitomo Electric Press Release, November 16, 2010, http://global-sei.com/news/press/10/10_23.html].
[19] „Materials for High-Temperature Semiconductor Devices”, National Research Council Report NMAB-747, National Academy Press, Washington, DC, 1995.
[20] Draper W.: Silicon carbide set to reduce size of hybrid electric engines. Compound Semiconductors, vol. 11, 18 (2005)
[21] Dameij M., . Nawaz M.: SiC BJTs promise to cut the cost of greener driving. Compound Semiconductors vol. 14(6), p 14, 2008.
[22] Cree Press Room August 30, 2010, http://www.cree.com/press/press_detail.asp?i=1283181742965].
[23] Nicoll H.: Ultraviolet ZnO laser pumped by an electron beam., Appl. Phys. Lett. Vol. 9, p.13, 1966.
[24] Hvamn J. M.: Exciton-exciton interaction and laser emission in high-purity ZnO. Solid Siate Commun. vol. 12. p. 95, 1973.
[25] Neumark G. F., Kuskovsky J. L., Jiang H. eds.: Wide Bandgap Light Emitting Materials and Devices. Wiley 2007.

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-article-BWAK-0027-0001