Badania walidacyjne stanowiska do monokrystalizacji SiC

• Autorzy: Grasza K. , Tymicki E. , Orzyłowski M.

Warianty tytułu

EN

Validation testing of system for SiC monocrystallization

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Artykuł zawiera wyniki badań walidacyjnych stanowiska do monokrystalizacji węglika krzemu, Które miały na celu potwierdzenie przydatności stanowiska do prowadzenia badań technologicznych hodowli monokryształów SiC. Badania objęły możliwości otrzymywania kryształów o różnych politypach (4H-SIC, 6H-SiC) i jednorodności politypowej powyżej 90%. Zbadano możliwości uzyskania prędkości wzrostu rzędu 1,5 mm/h, a także możliwości wygrzewania podczas fazy studzenia. Wyniki badań były pozytywne.

EN

The paper describes the results of validation tests of the system for silicon carbide monocrystallization. The goal of the test was the confirmation of this system usefulness for technological research of SiC crystal growth. The tests concern the possibility of various polytypes (4H-SIC, 6H-SiC) of homogeneity larger than 90% growth. The possibility of 1.5 mm/h crystal growth rate and holding crystals at cooling temperature were tested also. The results of the tests are positive.

Słowa kluczowe

PL

SiC; monokrystalizacja; hodowla; technologia; piec

EN

SiC; monocrystallization; growth; technology; furnace

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2010
• Tom: Vol. 51, nr 7
• Strony: 193--197
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz., il., wyk.

Twórcy

autor

Grasza K.

autor

Tymicki E.

autor

Orzyłowski M.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa

Bibliografia

• [1] Kościewicz K., Tymicki E., Grasza K.: SiC - Materiał dla mikroelektroniki. Elektronika, Wydawnictwo Sigma-NOT, nr 9/2006, ss. 22-27, ISSN 0033-2089.
• [2] Roussel P.: SIC '2008, Market analysis of SiC electronics. Yole Development, Lyon, France, 2008, http://www.memsinfo.jp/whitepaper/718.pdf
• [3] Rozmowa z dr Zygmuntem Łuczyńskim, dyrektorem Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych, http://www.elektronikab2b.pl/content/view/1768/lang.pl/
• [4] Łobodziński W., Orzyłowski M., Rudolf Z., Orzechowski Z., Kozłowski J., Wiechowski J.: Stanowisko do monokrystalizacji SiC. Elektronika, Wydawnictwo SIGMA-NOT, nr 12/2008, ss. 49-54, ISBN 0033-2089.
• [5] Orzyłowski M., Łobodziński W.: System dwupętlowej programowej regulacji temperatury stanowiska do monokrystalizacji SiC. Elektronika, Wydawnictwo SIGMA-NOT, nr 3/2008, ss. 95-99, ISBN 0033-2089.
• [6] Orzyłowski M., Rudolf Z.: Parametry technologiczne stanowiska do monokrystalizacji SiC. Elektronika, Wydawnictwo SIGMA-NOT, nr 7/2009, ss. 150-154, ISBN 0033-2089.
• [7] Orzyłowski M.: Identyfikacja pieca do monokrystalizacji SiC jako obiektu regulacji. Elektronika, Wydawnictwo SIGMA-NOT, nr 7/2010, ISBN 0033-2089.
• [8] Tymicki E. A., Grasza K., Diduszko R., Bożek R., Gate M.: Initial Stage of SiC Crystal Growth by PVT Method. The Fifth International Conference on Solid State Crystals and Eighth Polish Conference on Crystal Growth, 20-24 May 2007, Zakopane.
• [9] Chen Q., Zhang H., Prasad V., Balkas C. M., Yushin N. K., Wang S.: Kinetics and modeling of sublimation growth of silicon carbide bulk crystal. Journal of Crystal Growth No. 224, 2001, Elsevier, pp. 101-110.