Automated parameter extraction procedure for wide-band on-chip spiral inductor model

• Autorzy: Gadjeva E. D. , Durev V. P. , Hristov M. H.

Warianty tytułu

PL

Automatyczna procedura ekstrakcji parametrów szerokopasmowego modelu spiralnych cewek wykonywanych w układach scalonych

• Konferencja: Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES 2009. 16 ; 25-27.06.2009 ; Łódź, Polska
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

An automated procedure for parameter extraction of on-chip wide-band spiral inductor model is proposed in the paper. A MATLAB program is developed to accept the measured two-port S-parameters as input data and to calculate the parameter values of the spiral inductor model. The proposed algorithm shows excellent agreement with the measured data over the whole frequency range.

PL

Artykuł przedstawia automatyczną procedurę ekstrakcji parametrów szerokopasmowego modelu spiralnych cewek wykonywanych w układach scalonych. Program napisany w środowisku MATLAB przetwarza dane pomiarowe czwórnika i wylicza odpowiednie parametry modelu cewki. Zaproponowany algorytm daje dużą zgodność modelu z danymi pomiarowymi w szerokim zakresie częstotliwości.

Słowa kluczowe

EN

on-chip spiral inductor; parameter extracton; MATLAB

PL

scalone cewki spiralne; ekstrakcja parametrów; MATLAB

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2009
• Tom: Vol. 50, nr 12
• Strony: 23--26
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., rys.

Twórcy

autor

Gadjeva E. D.

autor

Durev V. P.

autor

Hristov M. H.

• Technical University of Sofia, "Kliment Ohridski" Sofia, Faculty of Electronic engineering and Technologies, Bulgaria

Bibliografia

• [1] Gil J., Shin H.: A simple wide-band on-chip inductor model for silicon-based RF Ics. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 51, issue 9, pp. 2023 - 2028, Sept., 2003, ISSN: 0018-9480.
• [2] Kang M., Gil J., Shin H.: A simple parameter extraction method of spiral on-chip inductors. IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 52, issue 9, pp.1976 - 1981, Sept. 2005, ISSN: 0018-9383.
• [3] Chen H., Zhang H., Chung S., Kuo J., Wu T.: Accurate Systematic Model-Parameter Extraction for On-Chip Spiral Inductors. IEEE Transactions on Electron Devices, Lausanne, Switzerland, vol. 55, issue 11, pp. 3267 - 3273, Nov. 2008, ISSN: 0018-9383.
• [4] Sun L., Wen J., Yan J., Hu J.: Modeling and parameters extraction of spiral inductors for silicon-based RFICs. Proc.7th Intern. Conf. on Solid-State and Integrated Circuits Technology 2004, vol. 1, pp. 224 - 227, 18-21 Oct. 2004, ISBN: 0-7803-8511-X.
• [5] Wen J., Sun L.: A Wide-Band Equivalent Circuit Model for CMOS On-Chip Spiral Inductor. 8th Inter. Conf. on Solid-State and Integrated Circuit Technology ICSICT '06, Shanghai, China, pp. 1383 - 1385, 23-26 Oct. 2006, ISBN: 1-4244-0160-7.
• [6] Ashby K. B., Finley W., Bastek J., Moinian S., Koullias I.: High Q inductors for wireless applications in a complementary silicon bipolar process. In Proc. Bipolar and BiCMOS Circuits and Technology Meeting, Minneapolis, MN, USA, 1994, pp. 179 - 182, ISBN: 0-7803-2117-0.
• [7] Yue C., Ryu C., Lau J., Lee T., Wong S.: A Physical model for planar spiral inductors on silicon. Proc. IEEE Int. Electron Devices Meeting Tech. Dig., San Francisco, CA, Dec. 1996, pp. 155 - 158, ISBN: 0-7803-3393-4.
• [8] Mohan S., Hershenson M., Boyd S., Lee T.: Simple Accurate Expressions for Planar Spiral Inductances. IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 34, issue 10, pp.1419 - 1424, Oct. 1999, ISSN: 0018-9200.