Wpływ zjawiska samonagrzewania na charakterystyki statyczne tranzystorów TrenchMOS

• Autorzy: Górecki K. , Zarębski J.

Warianty tytułu

EN

The influence of selfheating on DC characteristics of TrenchMOS transistors

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono i przedyskutowano zmierzone przez autorów izotermiczne i nieizotermiczne charakterystyki statyczne tranzystora TrenchMOS. Przedyskutowano wpływ samonagrzewania na przebieg tych charakterystyk oraz skomentowano różnice między tymi charakterystykami a charakterystykami katalogowymi.

EN

In this paper the measured by the authors DC characteristics of TrenchMOS transistors are presented and discussed. The influence of selfheating on these characteristics is shown and the differences between the measured and catalogue characteristics are commented.

Słowa kluczowe

PL

tranzystory TrenchMOS; samonagrzewanie; charakterystyka statyczna

EN

TrenchMOSFETs; selfheating; DC characteristics

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2008
• Tom: Vol. 49, nr 10
• Strony: 78--80
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., wykr.

Twórcy

autor

Górecki K.

autor

Zarębski J.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej

Bibliografia

• [1] Górecki K., Zarębski J.: Układ do automatycznego pomiaru nieizotermicznych charakterystyk statycznych elementów półprzewodnikowych. Metrologia i Systemy Pomiarowe, t. VII, z.1, 2000, ss. 45-57.
• [2] Zarębski J.: Tranzystory MOS mocy, Fundacja Rozwoju Akademii Morskiej w Gdyni, Gdynia, 2007.
• [3] Zarębski J., Górecki K.: Influence of Cooling Conditions on DC Characteristics of the Power MOS Transistor IRF840. International Conference Modern Problems of Radio Engineering, Telecommunications and Computer Science TCSET 2008, Slavske, 2008, pp. 12-15.
• [4] Zarębski J., Górecki K.: Modelling TrenchMOSFETs in SPICE. 15th IEEE International Conference on electronics, Circuits and Systems ICECS 2008, Malta, 2008, pp. 73-76.
• [5] Janke W.: Zjawiska termiczne w elementach i układach półprzewodnikowych. WNT, Warszawa, 1992.
• [6] Zarębski J.: Modelowanie, symulacja i pomiary przebiegów elektrotermicznych w elementach półprzewodnikowych i układach elektronicznych. Prace Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni, Gdynia, 1996.
• [7] Górecki K.: Elektrotermiczny makromodel tranzystora Darlingtona do analizy układów elektronicznych. Praca doktorska, Politechnika Gdańska, 1999.
• [8] TMOS Power MOSFET Transistor Device Data. Motorola, 1996.
• [9] Stepowicz W. J.: Elementy półprzewodnikowe. Wydawnictwo Akademii Morskiej w Gdyni, Gdynia, 2002.
• [10] Górecki K., Zarębski J., Jóźwik A.: Wpływ wybranych czynników na charakterystyki przetwornicy BOOST. VIII Krajowa Konferencja Naukowa Sterowanie w Energoelektronice i Napędzie Elektrycznym SENE 2007, Łódź, 2007, t. 1, ss. 151-156.