Symulacje elektryczne diod Schottky'ego oraz tranzystorów RESURF JFET i RESURF MOSFET na podłożach z węglika krzemu (SiC)

Bieniek, T.; Stęszewski, J.; Sochacki, M.; Szmidt, J.

Artykuł - szczegóły

Tytuł artykułu

Symulacje elektryczne diod Schottky'ego oraz tranzystorów RESURF JFET i RESURF MOSFET na podłożach z węglika krzemu (SiC)

Autorzy

Bieniek T. , Stęszewski J. , Sochacki M. , Szmidt J.

Identyfikatory

Warianty tytułu

Electrical simulations of SiC Schottky diodes, RESURF JFET and RE-SURF MOSFET on silicon carbide substrate (SiC)

Języki publikacji

Abstrakty

W pracy zaprezentowano możliwości symulacji charakterystyk elektrycznych przyrządów wykonanych na podłożach z węglika krzemu na przykładzie diod Schottky'ego i tranzystorów MOSFET i JFET. Wszystkie przyrządy modelowane były przy użyciu oprogramowania Atlas firmy Silvaco [1]. W przypadku diod Schottky'ego przeprowadzono analizę i optymalizacje różnych wariantów technologii pod kątem wytworzenia diody o jak najwyższym napięciu blokowania w kierunku zaporowym. W analizie tranzystorów głównym celem było zbadanie wpływu domieszkowania obszaru RESURF oraz jego geometrii na napięcie przebicia i rezystancję w stanie włączenia.

This contribution presents the capabilities of Silvaco Atlas software devoted to electrical analysis of SiC Schottky diodes, JFETs and MOSFETs. Different techniques of Schottky diode contact termination are modeled and discussed in details. Influence of RESURF region doping level and geometry on transistor breakdown voltage and channel on-resistance is analyzed.

Słowa kluczowe

SiC węglik krzemu Silvaco Atlas symulacje elektryczne

SiC silicon carbide Silvaco Atlas electrical simulations

Wydawca

Wydawnictwo SIGMA-NOT

Czasopismo

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Rocznik

2008

Tom

Vol. 49, nr 7-8

Strony

11--15

Opis fizyczny

Bibliogr. 9 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Bieniek T.

autor

Stęszewski J.

autor

Sochacki M.

autor

Szmidt J.

Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

[1] Silvaco website - www.silvaco.com
[2] Bhatnagar M., McLarty P. K.: Silicon-Carbide High-Voltage (400 V) Schottky Barrier Diodes. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. vol. 13, no. 10, 1992, 501-503.
[3] Bhatnagar M., Nakanishi' H., Bothra S., McLarty P. K., Baliga B. J.: Edge Terminations for Sic High Voltage Schottky Rectifiers. 89-94.
[4] Saxena V., Nong J., Steckl A. J.: High-Voltage Ni- and Pt- SiC Schottky Diodes Utilizing Metal Field Plate Termination. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, vol. 46, no. 3, 1999, 456-464.
[5] Itoh A., Kimoto T., Matsunami H.: Excellent Reverse Blocking Characteristics of High-Voltage 4H-SiC Schottky Rectifiers with Boron-Implanted Edge Termination. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, vol. 17, no. 3, 1996, 139-142.
[6] Rupp R., Treu M., Voss S., Bjork F., Reimann T.: 2nd Generation SiC Schottky diodes: A new benchmark in SiC device ruggedness, Proceedings of the 18th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's, June 4-8, 2006 Naples, Italy.
[7] Atlas User's manual. DEVICE SIMULATION SOFTWARE, vol. I, 1998.
[8] Fujikawa K., Shibata K., Masuda T., Shikata S.: 800V 4H-SiC RESURF-Type Lateral JFETs, IEEE Electron Device Letters, vol. 25., no. 12, December 2004.
[9] Kimoto T., Kawano H., Suda J.: 1330V 67m cm2 4H-SiC(0001) RESURF MOSFET. IEEE Electron Device Letters, vol. 26, no. 9, September 2005.

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-article-BWAK-0011-0001