Modelowanie wybranych efektów krótkiego kanału w dwubramkowym tranzystorze MOS

• Autorzy: Sawicka A. , Łukasiak L. , Jakubowski A.

Warianty tytułu

EN

Modeling of selected short-channel effects in a DG MOSFET

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przeanalizowano wpływ uwzględnienia efektów krótkiego kanału (zależność napięcia progowego od długości kanału, modulacja długości kanału, zwiększenie gęstości ładunku w kanale indukowane napięciem drenu) na dokładność modelowania charakterystyk prądowo-napięciowych dwubramkowego tranzystora MOS. Dokładność opracowanego modelu zweryfikowano na podstawie porównania z rezultatami symulacji numerycznych przeprowadzonych za pomocą programu ATLAS.

EN

The influence of incorporation of selected short-channel effects (dependence of threshold voltage on channel length, channel-length modulation, drain-induced charge enhancement) on the accuracy of modeling the I-V characteristics of a DG MOSFET was analyzed. The accuracy of the developed model was verified by means of a comparison with ATLAS simulations.

Słowa kluczowe

PL

tranzystor MOS dwubramkowy; efekt krótkiego kanału; modulacja długości kanału; napięcie progowe; zwiększenie ładunku w kanale indukowane napięciem dren-źródło

EN

channel-lenght modulation; double-gate MOSFET; drain-induced charge enhancement; short-channel effects; threshold voltage

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2008
• Tom: Vol. 49, nr 9
• Strony: 123--126
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz., wykr.

Twórcy

autor

Sawicka A.

autor

Łukasiak L.

autor

Jakubowski A.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikro- i Optoelektroniki

Bibliografia

• [1] International Technology Roadmap for Semiconductors, Semiconductor Industry Association, 2006.
• [2] Frank D. J., Dennard R. H., Nowak E., Solomon P. M., Taur Z., Wong H. S. R.: Device scaling limits of Si MOSFETs and their application dependencies. Proc. IEEE., vol. 89, pp. 259-288, 2001.
• [3] Wong H. S. P.: Beyond the conventional transistor. Solid-State Electron., vol. 49, pp. 755-762, 2005.
• [4] Colinge J. P.: Multiple-gate SOI MOSFETs. Solid-State Electron, vol. 48, pp. 897-905, 2004.
• [5] Sze M., Ng K. K.: Physics of semiconductor devices. John Wiley & Sons, 2007.
• [6] Chouksey S., Fossum J. G.: DICE: A beneficial short-channel effect in nanoscale double-gate MOSFETs. IEEE Trans. Electron Dev., vol. 55, pp. 796-802, 2008.
• [7] Sallese J. M., Krummenacher F., Pregaldiny F., Lallement C., Roy A., Enz C.: A design oriented charge-based current model for symmetric DG MOSFET and its correlation with the EKV formalism. Solid-State Electron., vol. 49, pp. 485-489, 2005.
• [8] ATLAS user's manual, Silvaco Inc. 2006.
• [9] Kim K., Fossum J. G., Chuang C. T.: Physical compact model for threshold voltage in short-channel double-gate devices. SIS-PAD 2003, pp. 223-226, 2003.