Właściwości emisyjne eutektyku Tb3Sc2Al3O12 - TbScO3 o periodycznym uporządkowaniu

• Autorzy: Kaczkan M. , Pawlak D.

Warianty tytułu

EN

Emission properties of Tb3Sc2Al3O12 - TbScO3 eutectic with periodic structure

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy zaprezentowane zostały wyniki i analiza badań spektroskopowych przeprowadzonych dla eutektyku Tb3Sc2Al3O12 - TbScO3 (TSAG-TSP) o periodycznej strukturze włóknowej oraz dla porównania dla monokryształów Tb3Sc2AI3O12 (TSAG) i TbScO3 (TSP). Za pomocą rozdzielczej w czasie techniki pomiaru zostały wyselekcjonowane spektralnie i scharakteryzowane grupy jonów Tb ³⁺ należące do poszczególnych faz składowych eutektyku. Wyniki wykazały znaczne różnice w stałych zaniku luminescencji w eutektyku w stosunku do kryształów objętościowych o takiej samej strukturze krystalicznej. Zostało zaobserwowane i opisane zjawisko wygaszania luminescencji z poziomu ⁵ D ₄ jonu Tb ³⁺ we wszystkich badanych materiałach.

EN

In this work, the results and analysis of the spectroscopic investigation on Tb3Sc2AI3O12-TbScO3 (TSAG-TSP) eutectic with rodlike microstructure and, for comparison, on bulkTb3Sc2Al3O-12 (TSAG) and TbScO3 (TSP) crystals is presented. Spectrally selected groups of Tb³⁺ ions located in particular phases of eutectic were characterized with the help of time-resolved spectroscopy. Results exhibited considerable differences between luminescence decay constants in phases TSAG and TSP of TSAG-TSP eutectic and in TSAG and TSP bulk crystals. The cross-relaxation process leading to the quenching of luminescence from the ⁵ D ₄ excited state of Tb ³⁺ in all investigated materials was observed and described.

Słowa kluczowe

PL

eutektyk; Tb3Sc2Al3O12; TbScO3; terb; wygaszanie luminescencji

EN

eutectic; Tb3Sc2Al3O12; TbScO3; terbium; luminescence quenching

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2008
• Tom: Vol. 49, nr 9
• Strony: 112--116
• Opis fizyczny: Bibliogr. 18 poz., rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Kaczkan M.

autor

Pawlak D.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikro- i Optoelektroniki

Bibliografia

• [1] Lee J. H., Yoshikawa A., Kaiden H., Lebbou K., Fukuda T., Yoon D. H., Waku Y.: J. Cryst. Growth, 231 (2001) 179.
• [2] Lee J. H., Yoshikawa A., Durbin S. D., Yoon D. H., Fukuda T., Waku Y.: J. Cryst. Growth, 222 (2001) 791.
• [3] Pawlak D. A., Lerondel G., Dmytruk I., Kagamitani Y., Durbin S., Fukuda T.: J. Appl. Phys. 91 (2002) 9731.
• [4] Waku Y., Ohtsubo H., Nakagawa N., Kohtoku Y.: J. Mat. Sci. 31 (1996) 4663.
• [5] Waku Y., Nakagawa N., Wakamoto T., Ohtsubo H., Shimizu K., Kohtoku Y.: J. Mat. Sci. 33 (1998) 1217.
• [6] Waku Y., Nakagawa N., Wakamoto T., Ohtsubo H., Shimizu K., Kohtoku Y.: Nature, 389 (1997) 49.
• [7] Orera V. M., Pena J. I., Merino R. I., Lazaro J. A., Valles J. A., Rebolledo M. A.: Appl. Phys. Lett. 71 (19) (1997) 2746.
• [8] Merino R. I., Parado J. A., Pena J. I., de la Fuente G. F, Larrea A., Orera V. M.: Phys. Rev. B, 56 (1997) 10907.
• [9] Merino R. I., Parado J. A., Pena J. I., and Orera V. M.: Appl. Phys. Lett. 80 (4) (2002) 589.
• [10] Pawlak D. A., Kolodziejak K., Turczynski S., Kisielewski J., Rozniatowski K., Diduszko R., Kaczkan M., Malinowski M.: Chemistry of Materials 18 (9) (2006) 2450.
• [11] Potdevin, A., Chadeyron, G., Boyer, D., Mahiou, R.: Journal of Materials Science 41 (8) (2006) 2201.
• [12] Bjorklund S., Kellermeyer G., Hurt C. R., McAvoy N., Filipescu N.: Applied Physics Letters 10 (5) (1967) 160.
• [13] Jensen H. P., Castleberry D., Gable D., Linz A.: Techn. Digest, Lasers Electro-Opt. (OSA/IEEE, Washington, D.C., 1973)47.
• [14] Aizawa H., Katsumata T., Komuro S., Morikawa T., Ishizawa H., Tobab E.: Sensors and Actuators A 126 (2006) 78.
• [15] Kołodziejak K., Turczyński S., Diduszko R., Klimek L., Pawlak D. A.: Opto-Electron. Rev., 14 (3), 2006, 205.
• [16] Gruber J. B., Zandi B.: Physical Review B 69 (2004) 115103.
• [17] Potdevin A., Chadeyron G., Boyer D., Mahiou R.: J Mater. SCI 41 (2006)220.1
• [18] Potdevin A., Chadeyron G., Boyer D., Caillier B., Mahiou R.: J. Phys. D: Appl. Phys. 38 (2005) 3251.