Modelowanie rozkładu energetycznego jonów w plazmie w. cz. przez dopasowanie teoretycznych profili poimplantacyjnych do profilu uzyskanego z pomiarów SIMS

• Autorzy: Kalisz M. , Beck R. B.

Warianty tytułu

EN

A novel method of energy distribution of ions in r. f plasma evaluation by compared fluorine distribution profiles simulated by SRIM with fluorine distribution profile obtained by SIMS

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiona zostanie nowa metoda szacowania energii jonów i rozkładu ich gęstości w plazmie, podczas procesu trawienia plazmowego RIE w plazmie CF4. Metoda ta łączy w sobie eksperyment technologiczny z komputerowo przeprowadzoną symulacją procesu implantacji. W celu oszacowania energii jonów fluoru i rozkładu ich gęstości w plazmie, kształt profilu rozkładu jonów fluoru otrzymany z pomiaru SIMS porównany został z profilami rozkładu jonów fluoru otrzymanymi z procesu symulacji jego implantacji. Symulacja ta przeprowadzona została w programie SRIM. W wyniku przeprowadzonego procesu odwzorowywania, z dużej grupy energii implantacji otrzymanych z procesu symulacji, wybrane zostało pięć, które poprawnie odwzorowywują kształt profilu zmierzonego za pomocą SIMS. Na ich podstawie wyliczony został strumień jonów fluoru, biorących udział w procesie trawienia plazmowego RIE, przy zadanych jego parametrach.

EN

In this paper we present a novel method, which allows evaluation of these parameters basing on performed experiments, the results of their characterization and computer simulation. The method is shown on the example of RIE in CF4, during which fluorine ions are implanted into the substrate. In order to evaluate the ions parameters (concentration and energy distribution) the profiles determined by ULE-SIMS were then compared with fluorine profiles simulated by SRIM. In order to obtain good fitting to the experimental profile, several SRIM profiles for different ions energies had to be taken into account. This allowed for determination of fluxes of fluorine ions impinging the substrate surface and their energy distribution for the experimental conditions used in this study.

Słowa kluczowe

PL

plazma wysokiej częstotliwości; bardzo płytka implantacja jonów; profile rozkładu fluoru; reaktywne trawienie jonowe

EN

RF plasma; ultra-shallow ion implantation; fluore distribution profiles; ion energy spectrum; reactive ion etching

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2008
• Tom: Vol. 49, nr 9
• Strony: 37--40
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Kalisz M.

autor

Beck R. B.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikro- i Optoelektroniki

Bibliografia

• [1] Michael C. A., Howard J.,Blackwell B. D.: Phys. Plasm. 11(2004)4008.
• [2] Takagi S., Iyanagi K., Onoue S., Shinmura T., Fujino M.: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) 3947.
• [3] Coburn J. W.: J. Vac. Sci. Technol. B 12 (1994) 1384.
• [4] Steinbruchel C.: Appl. Phys. Lett. 55 (1989) 1960.
• [5] Kalisz M., Beck R. B., Ćwil M.: J. Telecom. Inf. Tech. 3 (2007) 25.
• [6] http://www.srim.org/
• [7] http.y/www.originlab.com