Charakteryzacja tranzystorów typu FinFET na podstawie analizy statycznych charakterystyk prądowo-napięciowych

• Autorzy: Gibki J. , Łukasiak L. , Jakubowski A.

Warianty tytułu

EN

Characterization of FinFETs based on analysis of static I-V characteristic

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono wyniki pomiarów i identyfikacji podstawowych parametrów statycznych tranzystorów typu FinFET. Szczególną uwagę zwrócono na wielkości prądu drenu w stanie słabej inwersji i prądu upływności bramki ważnych z punktu widzenia wytwarzania szybkich i energooszczędnych układów scalonych.

EN

The paper presents the results of measurements and extraction of basic FinFET parameters. Special attention is paid to drain-to-source leakage current and gate leakage current, important from the point of view of fast, low-power integrated circuits fabrication.

Słowa kluczowe

PL

FinFET; napięcie progowe; prąd bramki

EN

FinFET; gate current; treshold voltage

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2008
• Tom: Vol. 49, nr 9
• Strony: 24--26
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Gibki J.

autor

Łukasiak L.

autor

Jakubowski A.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikro- i Optoelektroniki

Bibliografia

• [1] Colinge J. P. et al.: FinFETs and Other Multi-Gate Transistors. Springer, 2008.
• [2] Kilchytska V. et al.: Electrical characterization of FINFETs: special aspects. Konferencja Diagnostyka i Uzysk, 2006.
• [3] Rudenko T. et.al.: Reduction of gate-to-channel tunneling current in FinFET structures. Solid-State Electronics, vol. 51, 2007, pp. 1466-1472.
• [4] Young C. et al.: Charge Trapping in MOCVD Hafnium-Based Gate Dielectric Stack Structures And Its Impact on Device Performance. IRW Final Report, 2003.