Tytuł artykułu
Autorzy
Identyfikatory
Warianty tytułu
Characterization of FinFETs based on analysis of static I-V characteristic
Języki publikacji
Abstrakty
W artykule przedstawiono wyniki pomiarów i identyfikacji podstawowych parametrów statycznych tranzystorów typu FinFET. Szczególną uwagę zwrócono na wielkości prądu drenu w stanie słabej inwersji i prądu upływności bramki ważnych z punktu widzenia wytwarzania szybkich i energooszczędnych układów scalonych.
The paper presents the results of measurements and extraction of basic FinFET parameters. Special attention is paid to drain-to-source leakage current and gate leakage current, important from the point of view of fast, low-power integrated circuits fabrication.
Słowa kluczowe
Wydawca
Rocznik
Tom
Strony
24--26
Opis fizyczny
Bibliogr. 4 poz., tab., wykr.
Twórcy
autor
autor
autor
- Politechnika Warszawska, Instytut Mikro- i Optoelektroniki
Bibliografia
- [1] Colinge J. P. et al.: FinFETs and Other Multi-Gate Transistors. Springer, 2008.
- [2] Kilchytska V. et al.: Electrical characterization of FINFETs: special aspects. Konferencja Diagnostyka i Uzysk, 2006.
- [3] Rudenko T. et.al.: Reduction of gate-to-channel tunneling current in FinFET structures. Solid-State Electronics, vol. 51, 2007, pp. 1466-1472.
- [4] Young C. et al.: Charge Trapping in MOCVD Hafnium-Based Gate Dielectric Stack Structures And Its Impact on Device Performance. IRW Final Report, 2003.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWAH-0013-0004