Określenie poziomu domieszkowania w absorberach ogniw słonecznych Cu(In,Ga)Se2

• Autorzy: Ćwil M.

Warianty tytułu

EN

Shallow doping in Cu(In,Ga)Se2 solar cells

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono badania rozkładu domieszkowania w absorberach ogniw słonecznych Cu(ln,Ga)Se2 przy wykorzystaniu metody pojemnościowo-napięciowej (C-V). Profil rozkładu defektów w warstwie aktywnej uzyskany na podstawie charakterystyki C-V jest silnie niejednorodny za co odpowiedzialny jest elektrostatyczny ładunek zgromadzony w głębokich stanach materiału. Koncentracja głębokich pułapek jest ok. rząd wielkości większa aniżeli poziom domieszkowania płytkich stanów akceptorowych. Dyskusja i wnioski wsparte są numerycznymi symulacjami charakterystyk C-V przy użyciu programu SCAPS.

EN

Capacitance-voltage profiling has been used in order to determine net shallow acceptor concentration in the absorber of Cu(ln,Ga)Se2 - based solar cell. The influence of deep defects on evaluation of spatial doping distribution in the bulk of Cu(ln,Ga)Se2 absorber is discussed. We attribute the apparent non-uniformity of doping pro­file towards the back electrode to the accumulation of electrostatic charge in deep bulk acceptors with concentration an order of magni­tude higher than net shallow doping. All conclusions have been tested by SCAPS numerical modeling.

Słowa kluczowe

PL

Cu(In,Ga)Se2; defekty; poziom domieszkowania

EN

Cu(In,Ga)Se2; defects; C-V profiling

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2008
• Tom: Vol. 49, nr 5
• Strony: 65--66
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., wykr.

Twórcy

autor

Ćwil M.

• Instytut Tele- i Radiotechniczny, Warszawa

Bibliografia

• [1] Ramanathan K., Contreras M. A., Perkins C. L., Asher S., Hasoon F. S., Keane J., Young D., Romero M., Metzger W., Noufi R., Ward J., Duda A.: Prog. Photovolt: Res. Appl. 11, 225-230 (2003).
• [2] Wieting R., Gay R., Nguyen H., Palm J., Rischmiller R., Seapan A., Tarrant D., Willett D.: Proceedings of the 31st IEEE Photovoltaic Specialists Conference-Orlando, IEEE, New York, 2005, pp 177-182.
• [3] Rockett A., Birkmire R.W.: J. Appl. Phys. 70, R81 (1991).
• [4] Mickelson R. A., Chen W. S.: Appl. Phys. Lett. 36, 371 (1980).
• [5] Igalson M., Schock H.W.: J. Appl. Phys. 80, 5765 (1996).
• [6] Herberholz R.: Inst. Phys. Conf, Ser. No 152 (1998), ed. R.D. Tomlinson, A. E. Hill, R. D. Piklingtom, p.733.
• [7] Kessler J., Bodegard M., Hedstrfm J., Stolt L.: Sol. Energy Mater. Sol. Cells 67, 67(2001).
• [8] Kimerling L.C.: J. Appl. Phys. 45, 1839 (1974).