MOVPE : stan obecny, kierunki rozwoju, zastosowanie w technologii struktur optoelektronicznych

• Autorzy: Ściana B.

Warianty tytułu

EN

MOVPE : present state, future challeges, application in optoelectronic structures

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Omówiono rolę techniki MOVPE we współczesnym rynku komponentów optoelektronicznych. Pokazano silną pozycję tej technologii w przemysłowej produkcji diod LED o wysokiej jaskrawości - HB-LED. Przedstawiono nowy zakres materiałów osadzanych w technice MOVPE, w tym warstw tlenkowych. Pokazano współczesne możliwości systemów MOVPE kontroli i monitorowania in-situ procesu wzrostu. Podkreślono przyszłe wyzwania w zakresie badań podstawowych i produkcji przemysłowej komponentów optoelektronicznych.

EN

This paper presents the MOVPE technique and its role in the contemporary optoelectronic market. Different types of device structures made by MOVPE are presented and discussed. There were shown the MOVPE systems for deposition oxides layers and different methods for in-situ monitoring of the growth process. The future industrial and research challenges were pointed out.

Słowa kluczowe

PL

technika MOVPE; związki półprzewodnikowe III-V; materiały tlenkowe; komponenty optoelektroniczne; dioda LED o wysokiej jaskrawości; HB-LEDs; ogniwa słoneczne; kontrola in-situ

EN

MOVPE technique; III-V semiconductor compounds; oxides materials; optoelectronic components; HB-LEDs; solar cells; in-situ control

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2008
• Tom: Vol. 49, nr 1
• Strony: 94--98
• Opis fizyczny: Bibliogr. 20 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Ściana B.

• Wrocław University of Technology, Faculty of Microsystem Electronics and Photonics

Bibliografia

• [1] Moon R. L, J. of Cryst. Growth, 170, 1997, pp. 1-10.
• [2] www.researchandmarkets.com
• [3] III-Vs Review, Dec/Jan. 2005/2006, pp. 30.
• [4] Compound Semiconductor, Dec. 2006, pp. 11.
• [5] III-Vs Review, Dec/Jan. 2005/2006, pp. 31.
• [6] III-Vs Review, April 2006, pp. 35.
• [7] III-Vs Review, Dec/Jan. 2005/2006, pp. 33.
• [8] www.sandia.gov/1100.
• [9] Compound Semiconductor, Dec. 2006, pp. 28.
• [10] Krames M. R., Ochiai-Holcomb M., Hofler G. E., Carter-Coman C, Chen E. I., Tan I.-H., Grillot P., Gardner N. F., Chui H. C., Huang J.-W., Stockman SA, Kish F. A., Craford M. G., Appl. Phys. Lett., 75, 1999, pp. 2362-2364.
• [11] Compound Semiconductor, Aug. 2006, pp. 32.
• [12] Compound Semiconductor, Oct. 2006, pp. 27-30.
• [13] Proceedings of 12thEuropean Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy, EW-MOVPE 2007, June 3-6, 2007, Bratislava, Slovakia, pp. 207-226.
• [14] Wright P. J., Crosbie M. J, Lane P. A., Williams D. J., Jones A. C., Leedham T. J., Davies H. O. Davies, J. of Mater. Sci.: Materials in Electronics, 13, 2002, pp. 671-678.
• [15] www.veeco.com.
• [16] Bland S. W., J. of Mater. Sci.: Materials in Electronics, 13, 2002, pp. 679-682.
• [17] www.laytec.de.
• [18] www.siplus.ru.
• [19] Compound Semiconductor, Dec. 2006, pp. 14-16.
• [20] Compound Semiconductor, Dec. 2006, pp. 12-13.