Modelowanie zależności temperaturowej parametrów ogniw słonecznych ze studniami kwantowymi

• Autorzy: Prażmowska J. , Paszkiewicz R. , Tłaczała M.

Warianty tytułu

EN

Modelling of temperature dependence of quantum well solar cell parameters

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

Within intrinsic layer of ordinary p-i-n solar cell GaAs wells and AlxGa1-xAs barriers were inserted. Solar cells structure was optimized by means of computer simulations assuming dedicated algorithm. In a result p-i(GaAs/AI0.1Ga0.9As)-n structure with two quantum wells was obtained. Influence of temperature of solar cell device on its parameters like: short-circuit current, open-circuit voltage, maximum current and voltage, and conversion efficiency was investigated. Temperature increase did not contributed significantly to the expected extension of investigated device's conversion efficiency. Two reference p-i-n solar cell structures with intrinsic layer composed of GaAs and AI0.1Ga0.9As were also examined for comparison purposes. All simulations were carried out by using SimWindows program v. 1.5.0.

PL

Za pomocą symulacji komputerowych oraz wykorzystania odpowiedniego algorytmu zoptymalizowano strukturę ogniwa p-i-n ze studniami GaAs oraz barierami AlxGa1-xAs w obszarze "i". Jako wynik otrzymano strukturę p-i(GaAs/Al0.1Ga0.9As)-n z dwoma studniami kwantowymi. W dalszej części pracy badano wpływ temperatury na parametry og­niwa zoptymalizowanego, takie jak: prąd zwarcia, napięcie rozwarcia, maksymalny prąd i napięcie oraz sprawność konwersji. Wzrost temperatury nie wprowadził spodziewanego polepszenia sprawności konwersji przyrządu. Wyniki porównano ze strukturami odniesienia p-i-n, w których zastosowano obszar "i" GaAs lub AI01Ga09As. Wszyst­kie symulacje wykonano za pomocą programu SimWindows program v. 1.5.0

Słowa kluczowe

EN

quantum well solar cell; conversion efficiency; solar cell modelling

PL

ogniwa słoneczne ze studniami kwantowymi; sprawność konwersji; modelowanie ogniw słonecznych

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2008
• Tom: Vol. 49, nr 1
• Strony: 91--93
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., wykr.

Twórcy

autor

Prażmowska J.

autor

Paszkiewicz R.

autor

Tłaczała M.

• Wrocław University of Technology, Faculty of Microsystem Electronics and Photonics

Bibliografia

• [1] Anderson N. G.: Physica E 14 (2002) 126-131.
• [2] Barnham K. W. J., Dugan G.: J. Appl. Phys, 67 (1990) 3490-3493.
• [3] Barnham K., Connolly J., Griffin P, Haarpaintner G., Nelson J., Tsui E., Zachariou A., Osborne J., Botton Ch., Hill G., Hopkinson M., Pate M., Roberts J., Foxon T.: J. Appl. Phys. 80 (2), 1996, 1201-1206.
• [4] Rault F. K., Zahedi A.: Physica E 21 (2004) 61-70.
• [5] Prażmowska J., Korbutowicz R.: Optica Applicata XXXV (3), 2005, pp. 619.
• [6] Jani O., Honsberg C: Solar Energy Materials & Solar Cells 90 (2006) 3464-3470.
• [7] Nelson J., Barnes J., Ekins-Daukes N., Kluftinger B., Tsui E., Barnham K., Foxon C. T., Cheng T., Roberts J. S.: J. Appl. Phys, 82(1997)6240-6246.