Opracowanie submikronowego tranzystora testowego typu FinFET

• Autorzy: Zaborowski M. , Kucharski K. , Tomaszewski D. , Panas A. , Budzyński T. , Grabiec P.

Warianty tytułu

PL

Development of a FinFET-type submicron test device

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

A test 3-Gate FinFET-type p-MOS transistor was manufactured using a 3um CMOS layout and a technique dedicated for preparation of 270nm narrow silicon paths, controlled by means of a lateral definition process (PADEOX). SEM and optical views of the device were presented. I D (V DS) and I D (V GS) characteristics were measured and displayed together with typical p-MOS curves. A simple model of I-V characteristics was adopted for estimation of parameters of the fabri­cated test device.

PL

3-bramkowy tranzystor p-MOS typu Fin został opracowany przy wykorzystaniu 3 µm reguły projektowania (technologia CMOS) i nowej metody wytwarzania w procesie lateralnym wąskich ścieżek krzemowych o szerokości rzędu 270 nm (PADEOX). Zaprezentowano zdjęcia optyczne i skaningowe tranzystorów. Przedstawiono charakterystyki I D (V DS) i I D (V GS) w porównaniu z krzywymi typowymi dla technologii p-MOS. Wyznaczono podstawowe parametry elektryczne przyrządu i na ich podstawie charakterystyki I-V jego prostego modelu.

Słowa kluczowe

EN

Multi-Gate Transistor; Si nanowire; FinFET; PADEOX

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2008
• Tom: Vol. 49, nr 1
• Strony: 67--70
• Opis fizyczny: Bibliogr. 3 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Zaborowski M.

autor

Kucharski K.

autor

Tomaszewski D.

autor

Panas A.

autor

Budzyński T.

autor

Grabiec P.

• Institute of Electron Technology, Warsaw

Bibliografia

• [1] International Technology Roadmap For Semiconductors, 2005 Edition, http://www.itrs.net/Links/2005ITRS/Home2005.htm
• [2] Zaborowski M. et al.: Nano-line width control & standards using Lateral Pattern Definition technique. Microelectronic Engineering Vol. 83 (2006) pp. 1555-1558.
• [3] Lim H. K., Fossum J. G.: Current-voltage characteristics of thin-film SOI MOSFET's in strong inversion. IEEE Trans Electron De-vices, 1984,31(4).