Analiza możliwości wykorzystania metod optymalizacji lokalnej i globalnej w zadaniu charakteryzacji struktur MOS

• Autorzy: Arabas J. , Szostak S. , Łukasiak L. , Jakubowski A.

Warianty tytułu

EN

Studies of the feasibility of using global and local optimization methods in MOSFET characterization

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

In this paper we present first experimental results of applying the Evolutionary Algorithm and Nelder-Mead method to the MOSFET characterization task. The task is formulated as a problem of minimizing the error between the I-V curves obtained from the Pierret-Shields model and the actual measurements. This work is a preliminary report from the ongoing research, therefore we use the model-generated points instead of real measurements, and we attempt to reproduce the original parameter values by the aforementioned minimization. The paper presents results of such reproduction.

PL

Przedstawiono wstępne wyniki wykorzystania algorytmu ewolucyjnego i sympleksu Neldera-Meada w zadaniu charakteryzacji struktur MOS. Zadanie to jest sformułowane jako problem minimalizacji błędu przybliżenia krzywych pomiarowych I-V krzywymi I-V uzyskanymi za pomocą modelu Pierreta-Shieldsa. Celem jest analiza możliwości uzyskania przybliżenia dobrej jakości, dlatego też zamiast krzywych eksperymentalnych użyto krzywych wygenerowanych za pomocą modelu, a samo zadanie sprowadzono do zadania odtworzenia założonych (lecz nie znanych metodzie optymalizacji) wartości parametrów. Artykuł prezentuje wyniki takiego odtworzenia wraz z krytycznym komentarzem.

Słowa kluczowe

EN

global and local optimization; evolutionary computation; Nelder-Mead method; MOSFED structure; extraction of parameters

PL

optymalizacja globalna i lokalna; algorytm ewolucyjny; metoda Neldera-Meada; strutury MOS; ekstrakcja parametrów

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2008
• Tom: Vol. 49, nr 1
• Strony: 43--45
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., tab.

Twórcy

autor

Arabas J.

autor

Szostak S.

autor

Łukasiak L.

autor

Jakubowski A.

• Warsaw University of Technology Institute of Electronic Systems

Bibliografia

• [1] Schroder D.K.: Semiconductor material and device characterization. John Wiley and Sons. New York. 1990.
• [2] Szostak S.: Charge pumping in SOI structures - model and parameter extraction. Ph.D. Thesis (in Polish). Warsaw University of Technology 2001.
• [3] Chindalore G., Shih W.-K., Jallepalli S., Hareland SA, Tasch A. F., Maziar C. M.: An experimental study of the effect of quantization of the effective electrical oxide thickness in MOS electron and hole accumulation layers in heavily doped Si. IEEE Trans. Electron Dev.. vol. 47, p. 643, 2000.
• [4] Pierret R. F., Shields J. A.: Simplified long-channel MOSFET theory. Solid-State Electron., vol. 26. p. 143, 1983.
• [5] Toern A., Zilinskas A.: Global Optimization. Springer, 1989.
• [6] Press W. et al.: Numerical Recipes in C. Cambridge Univ. Press, 1992.
• [7] Michalewicz Z.: Genetic Algorithms + Data Structures = Evolution Programs. Springer, 1996.