Osadzanie warstw SiC na podłożach krzemowych metodą sputteringu

• Autorzy: Stańczyk B. , Jagoda A. , Dobrzański L.

Warianty tytułu

EN

Deposition of SiC layer on Si substrates by reactive sputtering

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Warstwy SiC o grubości około 1µm otrzymywano metodą sputteringu. SiC wygrzewano w piecu RTP. Określono wpływ parametrów, takich jak: rodzaj, skład i ciśnienie gazów w komorze reakcyjnej, moc RF generatora, odległość target-podłoże. Warstwy poddano analizie rentgenograficznej, badaniom transmisji i pomiarom profilometrycznym. Uzyskane widma absorpcji wskazują na istnienie mieszaniny politypów SiC z przewagą politypu 2H. Układ refleksów w widmie XRD świadczy o tym, że warstwy SiC uzyskane w mieszaninie gazów Ar+H2, cechują się lepszą jakością krystalograficzną niż uzyskane w czystym argonie.

EN

Recently, silicon carbide (SiC) became interesting materials for high power, high frequency, high temperature applications etc. SiC has properties such as high breakdown electric field (2,2x10⁶ V/cm), thermal conductivity (3,0-3,8 W/cm K), high electron mobility and high resistance to chemical attacks [1]. Many devices have been fabricated with crystalline and amorphous silicon carbide. In this work we performed the deposition of SiC layers in RF magnetron sputtering. This layers were fabricated from sintered SiC target of 99.6% purity, in Ar and Ar-H2 plasma. We changed composition plasma and gas flow rate (Ar from 0 to 100sccm, Ar-H2 30sccm). Distance between target and substrate was varied from 6 to 10 cm. The RF power discharge was from 50 to 500W, the base vacuum of the deposition system - approximately 2x10⁻⁷ Torn The thickness of SiC layer was monitored by quartz-crystal oscillator.

Słowa kluczowe

PL

SiC; sputtering; dyfrakcja rentgenowska; warstwy polikrystaliczne

EN

SiC; sputtering; X-ray diffraction; polycrystaline layers

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2008
• Tom: Vol. 49, nr 1
• Strony: 29--31
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., wykr.

Twórcy

autor

Stańczyk B.

autor

Jagoda A.

autor

Dobrzański L.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa

Bibliografia

• [1] Rajab S. M., Oliveira I. C., Massi M. at.al.: Effect of thermal annealing on the electrical and physical properties of SiC thin films produced by RF magnetron sputtering. Thin Solid Films, 515, (2006), pp.170-175.
• [2] Mo Y., Shajahan Md., Lee K.: Diamond Relat. Mater.6 (1997), 1559.
• [3] Mahmood A., Muchl S., Sensores L. E. i in.: Thin Solid Films 373, (2000), 180-183.
• [4] Golan G., Axelevitch A., Gorenstein B.: SiC multilayer quasi crystals preparation by DC magnetron sputtering. Microelectronics Journal 37,(2006), 1538-1542.