Badanie defektów punktowych w objętościowych monokryształach 6H-SiC otrzymanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej

• Autorzy: Kozubal M. , Kamiński P. , Kozłowski R. , Pawłowski M. , Hofman W.

Warianty tytułu

EN

Characterization of point defects in 6H-SiC single crystals grown by PTV technique

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Metoda niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS) została zastosowana do badania właściwości centrów defektowych w domieszkowanych azotem objętościowych kryształach 6-H SiC, otrzymanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej. Określono wpływ koncentracji donorów spowodowanych obecnością atomów azotu na koncentrację i parametry głębokich centrów defektowych. Badania uzupełniające, przeprowadzone metodą elektronowego rezonansu spinowego (ESR), potwierdziły różną koncentrację atomów azotu w kryształach 6H-SiC otrzymanych przy różnym cząstkowym ciśnieniu azotu w komorze krystalizacji.

EN

In this paper we report new experimental results, obtained by deep-level transient spectroscopy (DLTS) on electronic properties of defect centres in nitrogen-doped 6H-SiC bulk crystals grown by the physical vapour transport (PVT) technique. In particular, the effect of the net donor concentration on the concentrations of deep-level defects is investigated. Complementary studies were performed by electron spin resonance (ESR) measurements.

Słowa kluczowe

PL

DLTS; 6H-SiC; defekty punktowe; centra defektowe

EN

DLTS; 6H-SiC; point defects; defect centres

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2008
• Tom: Vol. 49, nr 1
• Strony: 22--25
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Kozubal M.

autor

Kamiński P.

autor

Kozłowski R.

autor

Pawłowski M.

autor

Hofman W.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa

Bibliografia

• [1] Arpiainem S., Saarinen K., Hautojarvi R., Henry L., Barthe M.-F., and Corbel C.: Optical transitions of the silicon vacancy in 6H-SiC studied by positron annihilation spectroscopy. Phys. Rev. B, 66, 075206 (2002).
• [2] Polyakov A. Y., Li Q., Huh S. W., Skowronski M., Lopatiuk O., Chernyak L., and Sanchez E. K.: Minority carrier diffusion length measurements in 6H-SiC. J. Appl. Phys. 97, 053703 (2005).
• [3] Huh S. W., Chung H. J., Nigam S., Polyakov A. Y., Li Q., Skowronski M., Glaser E. R., Carlos W. E., Shanabrook B. V., Fanton M. A. and Smirnov N. B.: Residual imputities and native defects in 6H-SiC bulk crystals grown by halide chemical-vapor deposition. J. Appl. Phys. 99, 013508 (2006).
• [4] Lebedev A. A.: Deep level centers in silicon carbide: A review. Semiconductors, 33, 2, 1999, pp. 107.
• [5] Kamiński R, Kozłowski R., Kozubal M., Miczuga M., Palczewska M., Pawłowski M. G., and Pawłowski M.: lnvestigation of defect levels in 6H-SiC single crystals. phys. stat. Sol. (c) 4, no. 8, 2967-2971 (2007).
• [6] Aboelfotoh M. O., Doyle J. P.: Defect energy in electron-irradiated and deuterium-implanted 6H silicon carbide. Phys. Rev. B, 59, 16, 10823(1999).
• [7] Chen X. D., Fung S., Ling C. C., Beling C. D., Gong M.: Deep level transient spectroscopy study of neutron-irradiated n-type 6H-SiC. J. Appl. Phys. 94, 3005-3010 (2003).
• [8] Mitchel W. C., Mitchell W. D., Landis G., Smith H. E., Lee W. and Zvanut M. E.: Vanadium donor and acceptor levels in semi-insulating 4H- and 6H-SiC. J. Appl. Phys. 101, 013707 (2007).
• [9] Hobgood H. McD., Glass R. C., Augustine G., Hopkins R. H., Jenny J., Skowronski M., Mitchel W. C. and Roth M.: Semi-insulating 6H-SiC grown by physical vapor transport. Appl. Phys. Lett. 66(11), 1364(1995).
• [10] Eberlein T. A. G., Jones R. and Briddon P. R.: Z1/Z2 Defects in 4H-SiC. Phys. Rev. Lett. 90, 225502.
• [11] Pintilie I., Pintilie L., Irmscher K. and Thomas B.: Formation of the Z1,2 deep-level defects in 4H-SiC epitaxial layers: Evidence for nitrogen participation. Appl. Phys. Lett. 81, 4841 (2002).