Efektywne, niskotemperaturowe osadzanie tlenku indowo-cynowego (ITO) metodą impulsowego rozpylania magnetronowego

• Autorzy: Cichy B. , Posadowski W. , Górecka-Drzazga A.

Warianty tytułu

EN

Effective, room temperature deposition of indium-tin oxide (ITO) by pulsed magnetron sputtering

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Badano proces osadzania cienkich warstw tlenku indowo-cynowego (ITO) na podłoża szklane metodą reaktywnego, impulsowego rozpylania magnetronowego targetu ITO (90% In₂O₃, 10% SnO₂) w temperaturze pokojowej. W celu poprawienia elektrycznych i optycznych właściwości napylonych warstw po procesie rozpylania wygrzewano je w próżni. Wygrzane warstwy charakteryzowały się niską rezystywnością około 10⁻⁴ Ω oraz wysoką transmisją światła w zakresie widzialnym, sięgającą 85%.

EN

Results of the room temperature deposition of indium-tin (ITO) layers from In₂O₃ : SnO₂ target (10% SnO₂) by pulsed magnetron sputtering are presented. ITO thin layers were deposited on the glass substrates. Sputtering process was performed in pure Ar and Ar + O₂ mixture. Post deposition vacuum annealing of ITO thin films caused meaning­ful decrease of their resistivity. The transparency of obtained layers was greater than 85% in visible spectrum.

Słowa kluczowe

PL

tlenek indowo-cynowy; ITO; impulsowe rozpylanie magnetronowe

EN

indium tin oxide; ITO; pulsed magnetron sputtering

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2008
• Tom: Vol. 49, nr 6
• Strony: 101--103
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., wykr.

Twórcy

autor

Cichy B.

autor

Posadowski W.

autor

Górecka-Drzazga A.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

Bibliografia

• [1] Libra M., Bárdoš L.: Effect of post-deposition vacuum annealing on properties of ITO layers. Vacuum, 1988, vol. 38, no 6, pp. 455-457.
• [2] Hongbin Ma, Jung-Soo Ch., Chung-Hoo P.: A study of indium tin oxide film deposition at low temperature using facing target sputtering system. Surface and Coatings Technology, 2002, vol. 153, pp. 131-137.
• [3] Shigesato Y. i in.: Early stages of ITO deposition on glass or polymer substrates. Vacuum, 2000, vol. 59, pp. 614-621.
• [4] Ohno S. i in.: High rate deposition of tin-doped indium oxide films by reactive magnetron sputtering with unipolar pulsing and plasma emission feedback system. Science and Technology of Advanced Materials, 2006, vol. 7, pp. 56-61.
• [5] Cichy B. i in.: Field-emission light source for microfluidic devices. Proc of the XX Eurosensors, Goteberg. Sweden, 2007.
• [6] Kurdesau F. i in.: Comparative study of ITO layers deposited by DC and RF magnetron sputtering at room temperature. Journal of Non-Crystalline Solids, 2006, vol. 352, pp. 1466-1470.