PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Zastosowanie zjawiska modulacji absorpcji na nośnikach swobodnych do nieniszczących badań materiałów półprzewodnikowych

Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
Application of the modulated free carrier absorption phenomenon for nondestructive testing of semiconductor materials
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
W pracy przedstawiono rozważania teoretyczne i wyniki eksperymentalne badań parametrów rekombinacyjnych materiałów krzemowych z wykorzystaniem techniki MFCA. Wykorzystana technika badawcza bazuje na zjawisku modulacji absorpcji na nośnikach swobodnych.
EN
This paper presents theoretical and experimental results of investigations of the recombination parameters of the silicon materials with the MFCA method. The applied technique is based on the phenomenon of the modulated free carriers absorption.
Rocznik
Strony
110--113
Opis fizyczny
Bibliogr. 17 poz., il., wykr., rys.
Twórcy
autor
autor
  • Politechnika Koszalińska, Wydział Elektroniki i Informatyki
Bibliografia
  • [1] Warta W.: Defect and impurity diagnostics and process monitoring. Solar Energy and Solar Cells 72 (2002), 389-401.
  • [2] Berman G. M., Call N. J., Johnson S. W., Ahrenkiel R. K., Rotolante R. A.: A comparison of transient and imaging techniques for measuring. 18lh Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells and Modules: Materials and Processes (2008), 151-154.
  • [3] Johnston S. W., Call N. J., Phan B., Ahrenkiel R. K.: Applications of imaging techniques for solar cell characterization. 34th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (2009), 276-281.
  • [4] Schroeder D.: Some Recent Advances in Contactless Silicon Characterization. ECS Transactions 3 (2006), 321-337.
  • [5] Dietzel D., Gibkes J., Chotikaprakhan S., Bein B. K., Pelz J.: Radiometric Analysis of Laser Modulated IR Properties of Semiconductors. International Journal of Thermophysics 24 (2003), 741-755.
  • [6] Li B., Li X., Li W., Huang Q., Zhang X.: Accurate determination of electronic transport properties of semiconductor wafers with spatialy resolved photo-carrier techniques. Journal of Physics: Conference Series 214 (2010), 012013.
  • [7] Zhang X., Li B., Gao C.: Analysis of free carrier absorption measurement of electronic transport properties of silicon wafers. European Physics Journal Special Topics 153 (2008), 279-281.
  • [8] Huang Q., Li B., Liu X.: Influence of probe beam size on signal analysis of modulated free carrier absorption technique. Journal of Physics: Conference Series 214 (2010), 012084.
  • [9] Li W., Li B.: Analysis of modulated free-carrier absorption measurement of electronic transport properties of silicon wafers. Journal of Physics: Conference Series 214 (2010), 012116.
  • [10] Mandelis A., Balista J., Shaughnessy D.: Infrared photocarrier radiometry of semiconductors: Physical principles, quantitative depth profilometry, and scanning imaging of deep subsurface electronics defects. Physical Review B 67 (2003), 205208.
  • [11] Schmidt J.: Measurement of differential and actual recombination parameters on crystalline silicon wafers. IEEE Transactions on Electron Devices 46 (1999), 2018-2025.
  • [12] Creazzo T., Redding B., Marchena E., Shi S., Prater D. W.: Free-carrier absorption modulation in silicon nanocrystal slot waveguides. Optics Letters 35 (2010), 3691-3693.
  • [13] Huang Q., Li B.: Self-eliminating instrumental frequency response from free carrier absorption signals for silicon wafer characterization. Review of Scientific Instruments 82 (2011), 043104-043110.
  • [14] Huang Q., Li B.: Electronic transport characterization of silicon wafers by combination of modulated free carrier absorption and photocarrier radiometry. Journal of Applied Physics 109 (2011), 023708-023716.
  • [15] Dramicanin M. D., Ristovski Z. D., Nikolic P. M., Vasiljevic D. G., Todorovic D. M.: Photoacoustic investigation of transport in semiconductors: Theoretical and experimental study of a Ge single crystal. Physical Review B 51(20) (1995), 14226-14232.
  • [16] Maliński M., Chrobak Ł., Patryn A.: Theoretical and Experimental Studies of a Plasma Wave Contribution to the Photoacoustic Signal for Si Samples. Acta Acustica united with Acustica 95 (2009), 60-64.
  • [17] Chrobak Ł., Maliński M., Patryn A.: Influence pf plasma waves on the photoacoustic signal of silicon samples. International Journal of Thermophysics 32(9) (2011), 1986-1997.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWAD-0030-0060
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.