DC measurements method of the thermal resistance of power MOSFETs

• Autorzy: Górecki K. , Zarębski J.

Warianty tytułu

PL

Stałoprądowa metoda pomiaru rezystancji termicznej tranzystorów mocy MOS

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

In this paper a new direct-current measuring method of thermal resistance of power MOS transistors is proposed. The conception of this method and the way of its realization are presented. The discussion on the influence of selected factors on the accuracy of the elaborated method is included in this paper. The correctness of the method is verified by comparing the results of measurements obtained with the use of the new method with the results obtained with the infrared method.

PL

W pracy zaproponowano nową statoprądową metodę pomiaru rezystancji termicznej tranzystorów mocy MOS. Przedstawiono koncepcję tej metody i sposób jej realizacji. Przedyskutowano wpływ wybranych czynników na dokładność opracowanej metody. Poprawność metody zweryfikowano przez porównanie wyników pomiarów otrzymanych z wykorzystaniem tej metody z wynikami uzyskanymi przy wykorzystaniu metody pirometrycznej.

Słowa kluczowe

EN

thermal resistance; power MOSFETs; measurements; selfheating MOS

PL

rezystancja termiczna; tranzystory mocy MOS; pomiary rezystancji termicznej; samonagrzewanie

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2012
• Tom: Vol. 53, nr 12
• Strony: 10--12
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., wykr.

Twórcy

autor

Górecki K.

autor

Zarębski J.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej

Bibliografia

• [1] Zarębski J.: Modelowanie, symulacja i pomiary przebiegów elektrotermicznych w elementach półprzewodnikowych i układach elektronicznych. Prace Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni, Gdynia, 1996.
• [2] Rashid M.: Power Electronics Handbook. Elsevier, 2007.
• [3] Rubin S. and Oettinger F.: Thermal Resistance Measurement on Power Transistors. National Bureau of Standards, NBS 400-14, U.S. Dept. of Commerce, 1979.
• [4] Masana F. N.: Die Attach Thermal Monitoring of IGBT Devices. Mixed Design of Integrated Circuits and System, MIXDES 2006, Gdynia 2006, pp. 421-424.
• [5] Górecki K., Zarębski J.: Porównanie elektrycznych i pirometrycznych metod pomiaru parametrów termicznych elementów półprzewodnikowych. Elektronika, Nr 11, 2005, ss. 55-57.
• [6] Zarębski J., Górecki K.: A New Measuring Method of the Thermal Resistance of Silicon P-N Diodes. IEEE Transaction on Instrumentation and Measurement, Vol. 56, No. 6, 2007, pp. 2788-2794.
• [7] Zarębski J., Górecki K.: A Method of Measuring the Transient Thermal Impedance of Monolithic Bipolar Switched Regulators. IEEE Transactions on Components and Packaging Technologies, Volume 30, No. 4, 2007 pp. 627-631.
• [8] Górecki K., Zarębski J.: DC measurements method of the thermal resistance of power MOSFETs. Proceedings of the 19th Internationa Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES 2012, Warszawa, 2012, s. 304-308.
• [9] Wilamowski B. M., Jaeger R. C.: Computerized circuit Analysis Using SPICE Programs. McGraw-Hill, New York, 1997.
• [10] Zarębski J., Górecki K.: The electrothermal large-signal model of power MOS transistors for SPICE. IEEE Transaction on Power Electronics, Vol. 25, No. 5-6, 2010, pp. 1265-1274.
• [11] Zarębski J.: ON-Resistance of Power MOSFETs. Informacije MIDEM, Vol. 35, No. 1, 2007, ss. 1-4.