Nowoczesne metody trawienia jonowego w strukturyzacji nanokolumn wykazujących zjawisko tunelowego magnetooporu

• Autorzy: Chomiuk P.

Warianty tytułu

EN

Novel ion etching techniques for patterning of nanopillars with tunnel magnetoresistance effect

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Nowoczesne metody trawienia jonowego umożliwiają wytwarzanie struktur o rozmiarach poniżej 100 nm. Obróbka różnego rodzaju materiałów jest możliwa dzięki odpowiedniemu doborowi parametrów procesu. W artykule prśedstawiono aparaturę lonSys 500 firmy Microsystems przeznaczoną do precyzyjnej obróbki powierzchni oraz przykład zastosowania tego urządzenia w wytwarzaniu subtelnych kolumnowych nanostuktur wykazujących zjawisko tunelowego magnetooporu.

EN

Novel ion beam etching techniques enable patterning of structures with dimensions below 100 nm. Due to proper parameters control different materials can be processed. In this article a MicroSystems' lonSys 500 system for precise surface processing is presented, and pillar-shaped nanostructures with tunnel magnetoresistance effect, as an application example.

Słowa kluczowe

PL

trawienie jonowe; urządzenie do trawienia lonSys 500; nanostruktury kolumnowe; zjawisko tunelowego magnetooporu

EN

ion beam etching; lonSys 500 etching system; pillar-shaped nanostructures; tunnel magnetoresistance effect

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2012
• Tom: Vol. 53, nr 10
• Strony: 98--99
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., il., rys.

Twórcy

autor

Chomiuk P.

• APVACUUM Sp. z o.o., ul. Klonowa 24, 62-002 Suchy Las k. Poznania, Polska,

Bibliografia

• [1] Microsystems 01/505 Product Information - IonSys Equipment for Ion Beam Etching.
• [2] Slonczewski J. C., J. Magn. Magn. Mater, 159, L1, 1996.
• [3] Yuasa S., Djayaprawira D. D., J. Phys. D: Appl. Phys., 40, R337, 2007.
• [4] Höwler M., Potzger K., Fassbender J., Kirsch K., Mattheis R., Nestler M., Demmler M., Zeuner M., MicroSystems 01/503 Application Note - Ion beam etching of tunnel magnetoresistance (TMR) Nanopillars.