Badania detektorów UV do zastosowań specjalnych w zakresie kriogenicznych wartości temperatury

• Autorzy: Ćwirko R. , Ćwirko J.

Warianty tytułu

EN

Study on cryogenic temperature value of UV detectors for special applications

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Półprzewodnikowe detektory UV są stosowane w pracach badawczych, przemyśle i aplikacjach wojskowych oraz w systemach bezpieczeństwa. W artykule przedstawiono wyniki badań nad wpływem temperatury na charakterystyki widmowe półprzewodnikowych detektorów UV. W artykule omówiono również zrealizowany system pomiarowy do badań detektorów w zakresie wartości kriogenicznych wartości temperatury.

EN

Semiconductor photodetectors UV are used in scietific research, industrial and military applications and security systems. The paper presents the results of study of the temperature dependences of the spectral characteristics for semiconductor photodetectors The measurement system used for study of detectors in cryogenic temperature value is presented in the paper, also.

Słowa kluczowe

PL

fotodetektory UV; pomiary kriogeniczne fotodetektorów; charakterystyka widmowa fotodetektora

EN

UV photodetectors; cryogenic-temperature measurement for photodetectors; spectral characteristics of photodetectors

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2012
• Tom: Vol. 53, nr 10
• Strony: 136--139
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., il., rys., wykr.

Twórcy

autor

Ćwirko R.

autor

Ćwirko J.

• Wojskowa Akademia Techniczna, Wydział Elektroniki, Warszawa

Bibliografia

• [1] Hari Sing Nalwa - editor, Photodetectors and Fiber Optics. Academic Press, 2001, ISBN 0-12-513908-X.
• [2] Dahay R. i in.: AIM MSM and Schottky Photodetectors. Phys. Stat. Solid. © 5, no. 6, 2145-2153 (2008).
• [3] Omnes F., Manroi E.: Ultraviolet Photodetectors. Optoelectronics Sensor. (2010), pp. 181-222.
• [4] Chang W.-R. i in.: The hetero-Epitaxial SiCN/Si MSM Photodetector fot High-Temperaturre Deep-UV Detecting Applications. IEEE Electron Device Letters, vol. 24, No. 9, September 2003, pp. 565-567.
• [5] Pikhtin A. M., Tarasov S. A., Orlova T. A., Kloth B.: Selective and broadband GaP UV photodetectors. IWRFRI'2000, St. Petersburg, May 29-31,2000; www.ioffe.ru/RT/IWRFRI2000/b2.html
• [6] Materiały firmy Hamamatsu Photonics K. K., GaAsP photodiode - diffusion type, www.hamamatsu.com
• [7] Instruction Manual, Low Temperature Controller LCT60, Leybold Vacuum, Germany.