Boron doped spin-on glasses in the technology of the silicon solar cells

• Autorzy: Wróbel E. , Filipowski W. , Waczyński K.

Warianty tytułu

PL

Rozwirowywane szkliwa domieszkowane borem w technologi krzemowych ogniw słonecznych

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki (11 ; 11-14.06.2012 ; Darłówko Wschodnie, Polska)
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The study was aimed at examining the possibility of forming a diffusion layer in a solar cell acting as BSF (Back Surface Field), using boron-doped SOG solutions. A lot of research to improve the efficiency of solar cells is constantly being carried out.

PL

Przeprowadzone badania miały na celu określenie możliwości kształtowania warstwy dyfuzyjnej w ogniwie słonecznym, pełniącej funkcje tylnego pola zawracającego nośniki BSF (Back Surface Field), przy wykorzystaniu rozwirowywanych źródeł boru. Badania nad podnoszeniem sprawności ogniw słonecznych są nieustannie prowadzone.

Słowa kluczowe

EN

solar cells; spin-on glasses; diffusion

PL

ogniwa słoneczne; rozwirowywane szkliwa; dyfuzja

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2012
• Tom: Vol. 53, nr 10
• Strony: 31--32
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., il., rys., wykr.

Twórcy

autor

Wróbel E.

autor

Filipowski W.

autor

Waczyński K.

• Politechnika Śląska, Instytut Elektroniki, Gliwice

Bibliografia

• [1] Runyan W. R., T. J. Shaffner: Semiconductor Measurements and Instrumentation. McGraw-Hill, New York 1998.
• [2] Ebong A. U.: Fabrication of double sided buried contact (DSBC) silicon solar cell by simultaneous predeposition and diffusion of boron and Phosphorus. New South Wales, Australia, Solar Energy Material and Solar Cells 44, 1996.
• [3] Nolan M.: Boron diffusion from spin-on source during rapid thermal processing. Dublin, Irlandia, Journal of Non-Crystalline Solids 254, 1999.
• [4] Grigoras K.: P-N junction formed in structures with macroporous silicon. Wilno, Litwa, Applied Surface Science 166, 2000.
• [5] Plaza Castillo J.: Very shallow boron junctions in Si by implantation and SOD diffusion obtained by RTP. Meksyk, Microelectronics Journal 39, 2008.