Analiza zagadnień cieplnych w optycznie pompowanych laserach typu VECSEL

• Autorzy: Sokół A. K. , Sarzała R. P.

Warianty tytułu

EN

Thermal analysis of optically pumped VECSELs

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki (11 ; 11-14.06.2012 ; Darłówko Wschodnie, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Artykuł porusza zagadnienie modelowania zjawisk cieplnych zachodzących podczas pracy nowoczesnych przyrządów półprzewodnikowych, jakimi są optycznie pompowane lasery typu VECSEL, znane również pod nazwą SDL. Przy pomocy samouzgodnionego modelu cieplnego wykorzystującego metody elementów skończonych dokonano numerycznej analizy własności cieplnych tych przyrządów, obejmującej porównanie różnych sposobów montażu oraz wpływu wybranych parametrów konstrukcyjnych na przyrost temperatury w ich obszarze czynnym. Symulacje przeprowadzono dla lasera typu VECSEL z obszarem czynnym w postaci wielokrotnej studni kwantowej GalnNAs/GaAs, emilującego promieniowanie o długości fali z zakresu drugiego okna optycznego telekomunikacji światłowodowej (1.31 žm).

EN

The paper is devoted to thermal modeling of optically pumped vertical-external-cavily surface-emitting lasers (VECSELs) also known as semiconductor disc lasers (SDLs) With the aid of self-consistent thermal-finite element method comparative analysis of thermal properties of various assembly configurations and influence of different design parameters on temperature increase in (he active region have been carried out. As the subject of thermal modeling GaInNAs/GaAs VECSEL operating at the second telecom window (1.31 žm) has been chosen.

Słowa kluczowe

PL

VECSEL; SDL; półprzewodnikowy laser dyskowy; model cieplny

EN

VECSEL; SDL; semiconductor disc laser; thermal model

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2012
• Tom: Vol. 53, nr 10
• Strony: 25--28
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Sokół A. K.

autor

Sarzała R. P.

• Politechnika Łódzka, Zespół Fotoniki, Instytut Fizyki

Bibliografia

• [1] Okhotnikov O. G.: Semiconductor Disk Lasers: Physics and Technology. Wiley-VCH, Weinheim, 2010.
• [2] Kuznetsov M., F. Hakimi, R. Sprague, A. Mooradian: High-power (>0.5-W CW) diode-pumped vertical-external-cavity surface-emitting semiconductor lasers with circular TEMOO beams. IEEE Phot. Tech. Lett., vol. 9, pp. 1063-1065, 1997.
• [3] ChernikovA., J. Herrmann, M. Koch, B. Kunert, W. Stolz, S. Chatterjee, S. W. Koch, T L. Wang, Y. Kaneda, J. M. Yarborough, J. Hader, J. V. Moloney: Heat Management in High-Power Vertical-External-Cavity Surface-Emitting Lasers. IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., vol. 17, pp. 1772-1778, 2011.
• [4] Chilla J., Q.-Z. Shu, H. Zhou, E. Weiss, M. Reed, L. Spinelli: Recent advances in optically pumped semiconductor lasers. Proc. SPIE, vol. 6451,645109,2007.
• [5] Hopkins J.-M., S. A. Smith, C. W. Jeon, H. D. Sun, D. Burns, S. Calvez, M. D. Dawson, T. Jouhti, M. Pessa: 0.6 W CW GaInNAs vertical external-cavity surface emitting laser operating at 1.32 µm. Electron. Lett., vol. 40, pp. 30-31, 2004.
• [6] Kasap S., P. Capper: Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials. Springer, Berlin, 2006.
• [7] Keller U., A. C. Tropper: Passively modelocked surface-emitting semiconductor lasers. Phys. Rep, vol. 429, pp. 67-120, 2006.