PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Analiza zagadnień cieplnych w optycznie pompowanych laserach typu VECSEL

Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
Thermal analysis of optically pumped VECSELs
Konferencja
Krajowa Konferencja Elektroniki (11 ; 11-14.06.2012 ; Darłówko Wschodnie, Polska)
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
Artykuł porusza zagadnienie modelowania zjawisk cieplnych zachodzących podczas pracy nowoczesnych przyrządów półprzewodnikowych, jakimi są optycznie pompowane lasery typu VECSEL, znane również pod nazwą SDL. Przy pomocy samouzgodnionego modelu cieplnego wykorzystującego metody elementów skończonych dokonano numerycznej analizy własności cieplnych tych przyrządów, obejmującej porównanie różnych sposobów montażu oraz wpływu wybranych parametrów konstrukcyjnych na przyrost temperatury w ich obszarze czynnym. Symulacje przeprowadzono dla lasera typu VECSEL z obszarem czynnym w postaci wielokrotnej studni kwantowej GalnNAs/GaAs, emilującego promieniowanie o długości fali z zakresu drugiego okna optycznego telekomunikacji światłowodowej (1.31 žm).
EN
The paper is devoted to thermal modeling of optically pumped vertical-external-cavily surface-emitting lasers (VECSELs) also known as semiconductor disc lasers (SDLs) With the aid of self-consistent thermal-finite element method comparative analysis of thermal properties of various assembly configurations and influence of different design parameters on temperature increase in (he active region have been carried out. As the subject of thermal modeling GaInNAs/GaAs VECSEL operating at the second telecom window (1.31 žm) has been chosen.
Rocznik
Strony
25--28
Opis fizyczny
Bibliogr. 7 poz., rys., wykr.
Twórcy
  • Politechnika Łódzka, Zespół Fotoniki, Instytut Fizyki
Bibliografia
  • [1] Okhotnikov O. G.: Semiconductor Disk Lasers: Physics and Technology. Wiley-VCH, Weinheim, 2010.
  • [2] Kuznetsov M., F. Hakimi, R. Sprague, A. Mooradian: High-power (>0.5-W CW) diode-pumped vertical-external-cavity surface-emitting semiconductor lasers with circular TEMOO beams. IEEE Phot. Tech. Lett., vol. 9, pp. 1063-1065, 1997.
  • [3] ChernikovA., J. Herrmann, M. Koch, B. Kunert, W. Stolz, S. Chatterjee, S. W. Koch, T L. Wang, Y. Kaneda, J. M. Yarborough, J. Hader, J. V. Moloney: Heat Management in High-Power Vertical-External-Cavity Surface-Emitting Lasers. IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., vol. 17, pp. 1772-1778, 2011.
  • [4] Chilla J., Q.-Z. Shu, H. Zhou, E. Weiss, M. Reed, L. Spinelli: Recent advances in optically pumped semiconductor lasers. Proc. SPIE, vol. 6451,645109,2007.
  • [5] Hopkins J.-M., S. A. Smith, C. W. Jeon, H. D. Sun, D. Burns, S. Calvez, M. D. Dawson, T. Jouhti, M. Pessa: 0.6 W CW GaInNAs vertical external-cavity surface emitting laser operating at 1.32 µm. Electron. Lett., vol. 40, pp. 30-31, 2004.
  • [6] Kasap S., P. Capper: Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials. Springer, Berlin, 2006.
  • [7] Keller U., A. C. Tropper: Passively modelocked surface-emitting semiconductor lasers. Phys. Rep, vol. 429, pp. 67-120, 2006.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWAD-0029-0005
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.