Długofalowe fotodiody z HgCdTe pracujące w temperaturach bliskich pokojowej

• Autorzy: Madejczyk P. , Gawron W. , Martyniuk P. , Kowalewski A. , Pawluczyk J. , Piotrowski A. , Kębłowski A. , Pusz W. , Piotrowski J.

Warianty tytułu

EN

Long Wavelength HgCdTe photodiodes operating near room temperature

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki (11 ; 11-14.06.2012 ; Darłówko Wschodnie, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Praca prezentuje wyniki badań nad minimalizacją, prądu ciemnego w heterostrukturach z HgCdTe przeznaczonych do delekcji promieniowania podczerwonego w zakresie LWIR W artykule przedstawiono wyniki symulacji z wykorzystaniem pakietu APSYS wspomagającego projektowanie heterostruktur z HgCdTe optymalizowanych ze względu na pracę w warunkach nierównowagowych. Do wytwarzania takich struktur wykorzystano technologię MOCVD, która umożliwia osądzanie warstw HgCdTe o dowolnym profilu składu i domieszkowania zarówno donorowego jak i akceptorowego bez konieczności wygrzewania poprocesowego. Przedstawiono wpływ architektury absorbera oraz warstw przejściowych (interfejsów) na wartość prądu ciemnego l min.

EN

The researches on minimizing of dark current in HgCdTe heterastructures designed for infrared detection in LWIR range are presented. The paper presents program APSYS simulation results supporting design of HgCdTe heterestructures optimized for non-equilibrium mode of operation. MOCVD technology have been used for HgCdTe deposition with lull range of composition and donor and acceptor doping without post grown annealing. The absorber layer and interface layers architecture influence on dark current l min are presented.

Słowa kluczowe

PL

fotodiody; zjawiska nierównowagowe; generacja Augera; heterostruktura; HgCdTe; MOCVD

EN

photodiode; non-equilibrium phenomena; Auger generation; heterostructure; HgCdTe; MOCVD

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2012
• Tom: Vol. 53, nr 10
• Strony: 13--15
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Madejczyk P.

autor

Gawron W.

autor

Martyniuk P.

autor

Kowalewski A.

autor

Pawluczyk J.

autor

Piotrowski A.

autor

Kębłowski A.

autor

Pusz W.

autor

Piotrowski J.

• Wojskowa Akademia Techniczna, Instytut Fizyki Technicznej, Warszawa

Bibliografia

• [1] Ashley T., C. T. Elliott: Nonequlibrium devices for infrared detection. Electron. Lett. 21, pp. 451-452, 1985.
• [2] Kinch M. A., F. Aqariden, D. Chandra, P.-K. Liao, H. F. Schaake, H. D. Shih: Minority carrier lifetime in p-HgCdTe. J. Electron. Mater. 34, pp. 880-884, 2005.
• [3] Itsuno A. M., P. Y. Emelie, J. D. Phillips, S. Velicu, C. H. Grein, P. S. Wijewarnasuriya: Arsenic Diffusion Study in HgCdTe for Low p-Type Doping in Auger-Suppressed Photodiodes. J. Electron. Mater., 39, pp. 945-950, 2010.
• [4] Maxey C. D., C. L. Jones, N. E. Metcalfe, R. A. Catchpole: SPIE 3122,453, 1997.
• [5] Madejczyk P., A. Piotrowski, W. Gawron, K. Kłos, J. Pawluczyk, J. Rutkowski, J. Piotrowski, A. Rogalski: Growth and properties of MOCVD HgCdTe epilayers on GaAs substrate. Opto-Electron. Rev. 13, pp. 239-251, 2005.
• [6] Piotrowski A., K. Kłos: Metal-Organic Chemical Vapor Deposition of HgCdTe Fully Doped Heterostructures Without Postgrowth Anneal for Uncooled MWIR and LWIR Detectors. J. Electron. Mater. 36, pp. 1052-1058, 2007.
• [7] Madejczyk P., A. Piotrowski, K. Kłos, W. Gawron, A. Rogalski, J. Rutkowski, W. Mróz: Surface smoothness improvement of HgCdTe layers grown by MOCVD. Bulletin of the Polish Academy of Science: Tech. Sci. 57, pp. 173-180, 2009.
• [8] Madejczyk P., W. Gawron, A. Piotrowski, K. Kłos, J. Rutkowski, A. Rogalski: Performance improvement of high-operating temperature HgCdTe photodiodes. Infrared Physics & Technology, 54, pp. 310-315, 2011.
• [9] Kłos K., A. Piotrowski, W. Gawron, J. Piotrowski: Insight into precursor kinetics using an infrared analyzer. Opto-Electron. Rev, 18, pp. 95-101, 2010.
• [10] Kłos K., A. Kębłowski, A. Piotrowski, J. Piotrowski, W. Gawron, A. Stafford, N. Mason, S. J. C. Irvine: Optimization of MOVPE HgCdTe growth with reflectometry. XIV European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy EW-MOVPE 2011, June 5-8, Wrocław, Poland.
• [11] Kłos K.: Wzrost warstw tellurku kadmowo-rtęciowego (HgCdTe) metodą MOCVD przy wykorzystaniu interdyfuzji warstw CdTe i HgTe. Rozprawa doktorska. Politechnika Warszawska, 2011.