Wytwarzanie i charakteryzacja warstw SiO₂ na powierzchni SiC metodą utleniania termicznego

• Autorzy: Kozłowski A. , Dobrzański L. , Pisarek M. , Możdżonek M.

Warianty tytułu

EN

Development and characterization of SiO₂ layers on SiC surface obtained by thermal oxidation method

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przeprowadzono procesy utleniania termicznego węglika krzemu (polityp 6H-SiC) określające kinetykę reakcji w temperaturze 1100°C w dwóch środowiskach utleniających (atmosferze suchego tlenu oraz pary wodnej). Grubość uzyskanych warstw była badana za pomocą profilografu Dektak150 firmy Veeco. Struktura tlenku badana była spektrofotometrem fourierowskim IFS 113v firmy Bruker w temperaturze pokojowej, w zakresie widmowym 400...4000 cm⁻¹ oraz za pomocą skaningowego mikroanalizatora elektronów Augera MICROLAB-350 firmy Thermo Electron (VG Scientific), który może być wykorzystywany opcjonalnie jako rentgenowski spektrometr fotoelektronów (XPS).

EN

Kinetics of thermal oxidations of silicon carbide (polytype 6H-SiC), have been determined for processes done in temperature 1100°C and two oxidant ambient (dry oxygen and water vapour). Thickness of SiO₂ layers has been measured using Veeco Dektak 150 Surface Profilometer. The structure of obtained layers were examined in room temperature in Bruker's Fourier Spectrometer IFS 113v in 400...4000 cm⁻¹ spectrum range. Moreover the high resolution Auger system also capable of performing multi-technique (XPS) analysis Microlab-350 (Thermo VG Scientific) was used.

Słowa kluczowe

PL

SiC; utlenianie termiczne; SiO2; FTIR; AEG; XPS

EN

SiC; thermal oxidation; SiO2; FTIR; AEG; XPS

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 12
• Strony: 110--114
• Opis fizyczny: Bibliogr. 15 poz., il., wykr., rys.

Twórcy

autor

Kozłowski A.

autor

Dobrzański L.

autor

Pisarek M.

autor

Możdżonek M.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa

Bibliografia

• [1] Song Y., Dhar S., Feldman L. C., Chung G., Wiliams J. R.: Journal of Applied Physics, Vol. 95, No. 9, May 2004, pp. 4953-4957.
• [2] Radtke C., Baumvol I. J. R., Ferrera B.C., Stedile F. C.: Applied Physics Letters, Vol.85, No.16. October 2004, pp. 3402-3404.
• [3] Scares G.V., Radtke C., Stedile F. C.: Applied Physics Letters, Vol. 88,041901 {2006}.
• [4] Jernigan G. G., Stahlbush R. E., Das M. K., Cooper J. A. Jr., Lipkin L. A.: Applied Physics Letters, Vol. 74, No. 10, March 1999, pp. 1448-1450.
• [5] Katsunori Ueno: Journal of Electronic Materials, Vol. 27, No. 4, 1998.
• [6] Takeshi Iida, Youchi Tomioka, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, Masahito Yoshikawa, Yuuki Ishida, Hajime Okumura, Sadafumi Yoshida: Jpn. J. Applied Physics, Vol.39 (2000) pp. 11054-11056.
• [7] Eckhard Pippel, Jörg Woltersdorf, Halldor Ö. Ólafson, Einar Ö. Sveinbjörnsson: Journal of Applied Physics, Vol. 97,034302 (2005).
• [8] Sarit Dhar, Shurui Wang, John R. Williams, Sokrates T. Pantelides, Leonard C. Feldman, MRS Bulleyin, Vol 30, April 2005.
• [9] Buczko R., Stephen J. Pennycook, Sokrates T. Pantelides: Physical Review Letters, Vol. 84, No. 5, January 2000, pp. 943-946.
• [10] Vickkridge I., Ganem J., Hoshino Y., Trimaille I.: Journal of Phisics D: Applied Physics, 40 (2007) 6254-6263.
• [11] Benfdila A., Zekentes K.: African Physical Review (2010) 4:0005.
• [12] Pantelides S. T.: Theory and modeling of SiC oxidation, Dpt. Of Phys. & Astron.,Vanderbilt Univ. publication, Nashville. TN (2002).
• [13] Hormetz B.: J. Vac. Sci. Technol. A13/3, 767(1995).
• [14] Petersen M., Shulberg M. T., Gochberg L. A.: Appl. Phys. Lett. Vol. 82 no. 13 p. 2041 (2003).
• [15] Murray R. T., Taylor S.: Semicond. Sci. Technol. 15 (2000) 992-995.