Wpływ doboru elementów półprzewodnikowych na charakterystyki przetwornicy buck

• Autorzy: Górecki K. , Zarębski J.

Warianty tytułu

EN

Influence of semiconductor devices on characteristics of the buck converter

• Konferencja: Konferencja Techniki Próżni. 9 ; Workshop on Field Emission from Carbonaceous Materials ; 6-9.06.2011; Cedzyna, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy zaprezentowano wyniki badań symulacyjnych i pomiarowych przetwornicy buck zawierającej elementy półprzewodnikowe wykonane z krzemu oraz z węglika krzemu. Obliczenia wykonano przy wykorzystaniu elektrotermicznych hybrydowych modeli tranzystorów polowych oraz diod. Poprawność uzyskanych wyników symulacji zweryfikowano doświadczalnie. Przedyskutowano wpływ doboru elementów półprzewodnikowych na uzyskane charakterystyki rozważanej przetwornicy.

EN

In the paper the results of simulations and measurements of a buck converter operating with silicon and silicon carbide devices are presented. SPICE simulations were performed with the use of electrothermal hybrid models of unipolar transistors and Schottky diodes. The simulation results were verified experimentally. The influence of selection of the considered semiconductor devices on the buck converter characteristics is discussed.

Słowa kluczowe

PL

przetwornica BUCK; elementy półprzewodnikowe; węglik krzemu; charakterystyki w stanie ustalonym; modelowanie

EN

buck converter; SiC semiconductor devices; steady state characteristics; modelling

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 8
• Strony: 124--127
• Opis fizyczny: Bibliogr. 13 poz., il., wykr.

Twórcy

autor

Górecki K.

autor

Zarębski J.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej

Bibliografia

• [1] Rashid M. H.: Power Electronics Handbook, Elsevier, 2007.
• [2] Górecki K., Zarębski J.: Modeling Nonisothermal Characteristics of Switch-Mode Voltage Regulators. IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. 23, No. 4, 2008, pp. 1848-1858.
• [3] Zarębski J., Górecki K., Posobkiewicz K.: Wpływ zastosowania elementów półprzewodnikowych z węglika krzemu na charakterystyki przetwornicy buck. Przegląd Elektrotechniczny, R. 86, Nr 11 a, 2010, s. 229-231.
• [4] Rąbkowski J., Barlik R.: Falownik trójfazowy z tranzystorami JFET i diodami Schottky'ego z węglika krzemu. Przegląd Elektrotechniczny, R. 86, Nr 11a, 2010, s. 116-119.
• [5] Mohan N., Robbins W. P., Undeland T. M., Nilssen R., Mo O.: Simulation of Power Electronic and Motion Control Systems - An Overview, Proceedings of the IEEE, Vol. 82,1994, s. 1287-1302.
• [6] Maksimovic D., Stankovic A. M., Thottuvelil V. J., Verghese G. C.: Modeling and simulation of power electronic converters, Proceedings of the IEEE, Vol. 89, No. 6, 2001, s. 898-912.
• [7] Górecki K.: Modelowanie i analiza obcowzbudnych stabilizatorów impulsowych zawierających dławikowe przetwornice dc-dc z uwzględnieniem samonagrzewania. Prace Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni, Gdynia, 2007.
• [8] Zarębski J., Dąbrowski J.: Evaluation and Modelling of Properties of Commercial SiC Schottky Diodes. IEEE International Conference on Sustainable Energy Technologies, ICSET 2010, 6-9 December 2010, Kandy, Sri Lanka.
• [9] Bisewski D., Zarębski J.: Charakterystyki statyczne tranzystora SiC-MESFET z uwzględnieniem zjawiska samonagrzewania Krajowa Konferencja Zastosowania Komputerów w Elektrotechnice, ZkwE, Poznań, 2011.
• [10] Zarębski J.: Modelowanie, symulacja i pomiary przebiegów elektrotermicznych w elementach półprzewodnikowych i układach elektronicznych, Prace Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni, Gdynia 1996.
• [11] Zamłyński K.: Modelowanie termicznego sprzężenia zwrotnego w monolitycznych układach scalonych przy pomocy programu SPICE-2G, Rozprawy Elektrotechniczne, 1990, Vol. 35, Nr 3, s. 673-692.
• [12] Wilamowski B. M., Jaeger R. C.: Computerized circuit Analysis Using SPICE Programs, McGraw-Hill, New York 1997.
• [13] Zarębski J., Górecki K.: Modelling CoolMOS Transistors in SPICE. IEE Proceedings on Cicuits, Devices and Systems, Vol. 153, No. 1, 2006, pp. 46-52.