Nanodruty ZnO otrzymywane metodą Osadzania Warstw Atomowych do zastosowań sensorowych

• Autorzy: Wachnicki Ł. , Witkowski B. S. , Gierałtowska S. , Kopalko K. , Guziewicz E. , Godlewski M.

Warianty tytułu

EN

Zinc oxide nanostructures obtained by Atomic Layer Deposition method for sensor applications

• Konferencja: Konferencja Techniki Próżni. 9 ; Workshop on Field Emission from Carbonaceous Materials ; 6-9.06.2011; Cedzyna, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiamy wzrost nanodrutów ZnO metodą osadzania warstw atomowych ALD (ang. Atomic Layer Deposition). Do otrzymania nanodrutów ZnO użyto podtoże GaAs pokryte mieszaniną złota i galu uformowanego na powierzchni w postaci rozseparowanych "nanokul". W procesie ALD jako prekursor tlenowy została użyta woda dejonizowana, natomiast jako prekursor cynkowy został użyty chlorek cynku. Odpowiednio przygotowana mieszanina Au-Ga odgrywała rolę katalizatora wzrostu nanosłupków ZnO. Otrzymano nanosłupki ZnO w postaci krystalitów o długości do 1 mikrometra i około 100 nanometrów średnicy. Warto zaznaczyć, że jest to pierwsze zastosowanie metody ALD do wzrostu nanosłupków ZnO. Otrzymane nanosłupki użyto do wytworzenia czułych sensorów rozpuszczalników.

EN

In this work we present growth of ZnO nanowires (NWs) using ALD. As a substrate we used gallium arsenide with Au-Ga eutectic mixture prepared on the surface at high temperature. The soprepared substrate was used for growth of ZnO NWs using the ALD system. We used deionized water and zinc chloride as an oxygen and zinc precursors, respectively. The eutectic mixture plays a role of a catalyst for the ZnO NWs growth. The ZnO nanorods were obtained in a form of crystallites of up to 1 µm length and 100 nm diameter. It is the first demonstration of ZnO NWs growth by ALD using VLS (vapour-liquid-solid) approach. We demonstrate their application as solvents sensor.

Słowa kluczowe

PL

osadzanie warstw atomowych; dietylocynk; tlenek cynku; fotoluminescencja; dyfrakcja rentgenowska; sensor; mikroskop sił atomowych

EN

atomic layer deposition; zinc oxide; photoluminescence; sensor; atomic force microscopy (AFM)

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 8
• Strony: 85--86
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., il., wykr.

Twórcy

autor

Wachnicki Ł.

autor

Witkowski B. S.

autor

Gierałtowska S.

autor

Kopalko K.

autor

Guziewicz E.

autor

Godlewski M.

• Instytut Fizyki, Polska Akademia Nauk, Warszawa

Bibliografia

• [1] Li Y. B., Bando Y., Sato T., Kurashima K.: Appl. Phys. Lett. 81, 144 (2002).
• [2] Wan Q., Li Q. H., Chen J., Wang T. H.: Appl. Phys. Lett. 84, 18 (2004).
• [3] Jiang Y., Wu Y., Mo X., Yu W. C., Xie Y., Qian Y. T.: Inorg. Chem. 39, 2964 (2003).
• [4] Suntola T., in: Handbook of Crystal Growth, Part 3b: Growth Mechanisms and Dynamics, edited by D. T. J. Hurle (Elsevier, Amsterdam, Lausanne, New York), pp. 605-663.
• [5] Wachnicki Ł., Krajewski T., Luka G., Witkowski B., Kowalski B., Kopalko K., Domagała J. Z., Guziewicz M., Godlewski M., Guziewicz E.: Thin Solid Films (2010), 4556-4559.
• [6] Przezdziecka E., Krajewski T., Wachnicki L., Szczepanik A., Wójcik-Głodowska A., Yatsunenko S., Lusakowska E., Paszkowicz W., Guziewicz E., Godlewski M.: Acta Phys. Pol., A 114 (2008), 1303.
• [7] Gierałtowska S., Sztenkiel D., Guziewicz E., Godlewski M., Łuka G., Witkowski B. S., Wachnicki Ł., Łusakowska E., Dietl T., Sawicki M.: Acta Phys. Pol., Vol. (2011), 5.
• [8] Klingshirn C., ZnO: From basic towards application, Phys. Stat. Sol. (b) 244, No. 9, 3027-3073 (2007).
• [9] Pearton S. J., Norton D. P., Ip K., Heo Y. W., Steiner T.: Superlattices Microstruct. 34, 3 (2003).
• [10] Przezdziecka E., Wachnicki L., Paszkowicz W., Lusakowska E., Krajewski T., Luka G., Guziewicz and Godlewski M.: Semicond. Sci. Technol. 24 (2009), 105014.