Technologia Osadzania Warstw Atomowych : zastosowania w elektronice

• Autorzy: Godlewski M. , Guziewicz E. , Łuka G. , Gierałtowska S. , Krajewski T. A. , Wachnicki Ł.

Warianty tytułu

EN

Technology of Atomic Layer Deposition for electronic applications

• Konferencja: Konferencja Techniki Próżni. 9 ; Workshop on Field Emission from Carbonaceous Materials ; 6-9.06.2011; Cedzyna, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy omówiony jest postęp w miniaturyzacji tranzystorów polowych w układach scalonych, który zawdzięczamy wprowadzeniu do linii produkcyjnych nowej technologii osadzania warstw dielektryków podbramkowych - technologii Osadzania Warstw Atomowych (ALD). Zalety tej metody są krótko omówione. Omówione są także możliwe zastosowania tlenku cynku w przyrządach elektronicznych.

EN

We describe shortly further progress in miniaturization of field effect transistors in integrated circuits, which was possible due to introduction of a new deposition method (Atomic Layer Deposition, ALD) in produetion lines for deposition of gate oxides. Advantages of the ALD method are shortly summarized. We also discuss possible use of zinc oxide in electronic devices.

Słowa kluczowe

PL

tlenek cynku; metoda osadzania warstw atomowych; tranzystor polowy; układy scalone

EN

zinc oxide; atomic layer deposition; field effect transistor; integrated circuit

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 8
• Strony: 82--84
• Opis fizyczny: Bibliogr. 12 poz., il., wykr.

Twórcy

autor

Godlewski M.

autor

Guziewicz E.

autor

Łuka G.

autor

Gierałtowska S.

autor

Krajewski T. A.

autor

Wachnicki Ł.

• Instytut Fizyki, Polska Akademia Nauk, Warszawa

Bibliografia

• [1] Moore G. E.: Electronics 38, Number 8, April 19, 1965.
• [2] Johnson M., Al-Shamma A., Bosch D., Crowley M., Farmwald M., Fasoli L., Ilkbahar A., Kleveland B., LeeT., Liu Tz-yi, Nguyen Quang, Scheuerlein R., So K., T. Thorp, IEEE Journal of Solid State Circuits 38, 1920 (2003).
• [3] Bo Soo Kang, Seung-Eon Ahn, Myoung-Jae Lee, Genrikh Stefanovich, Ki Hwan Kim, Wen Xu Xianyu, Chang Bum Lee, Youngsoo Park, In Gyu Baek and Bae Ho Park, Advanced Materials 20, Issue 16, 3066 (2008).
• [4] Godlewski M., Guziewicz E., Krajewski T., Kruszewski P., Wachnicki Ł., Kopalko K., Wójcik A., Osinniy V.: Microelectronic Engineering 85, 2434 (2008).
• [5] Guziewicz E., Kowalik I. A., Godlewski M., Kopalko K., Osinniy V., Wójcik A., Yatsunenko S., Łusakowska E., Paszkowicz W.: J. Appl. Phys. 103, 033515 (2008).
• [6] Katsia E., Huby N., Tallarida G., Kutrzeba-Kotowska B., Perego M., Ferrari S., Krebs F. C., Guziewicz E., Godlewski M., Luka G., Appl. Phys. Lett. 94, 143501 (2009).
• [7] Luka G., Stakhira P., Cherpak V., Volynyuk D., Hotra Z., Godlewski M., Guziewicz E., Witkowski B., Paszkowicz W., Kostruba A.: J. Appl. Phys. 108, 064518 (2010).
• [8] Stakhira P. Y., Pakhomov G. L., Cherpak V. V., Volynyuk D., Luka G., Godlewski M., Guziewicz E., Hotra Z. Yu.: Cent. Eur. J. Phys. 8, 798(2010).
• [9] Wager J. F.: Science 300, 1245 (2003).
• [10] Godlewski M., Guziewicz E., Luka G., Krajewski T., Łukasiewicz M., Wachnicki Ł., Wachnicka A., Kopalko K., A. Sarem, B. Dalati: Thin Solid Films 518, 1145 (2009).
• [11] Gierattowska S., Sztenkiel D., Guziewicz E., Godlewski M., Witkowski B. S., Wachnicki Ł., Łusakowska E., Paszkowicz W., Minikayev R., Dietl T., Sawicki M.: Acta Physica Polonica (a) 119, 692 (2011).
• [12] Gieraltowska S., Wachnicki L., Witkowski B. S., Godlewski M., Guziewicz E.: Praca przygotowywana do druku.